Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия
Исследователи из Технологического института Джорджии (США) и Института инновационной высокопроизводительной микроэлектроники (Германия) продемонстрировали в действии самое быстродействующее устройство на базе кремния изо всех, когда-либо созданных человеком. Криогенная зондовая установка для испытания транзисторов нового типа (здесь и ниже изображения Технологического института… Продолжить чтение
