Архив по категории: Биполярные транзисторы

 

Частотные свойства биполярных транзисторов и способы их улучшения

Усилительные свойства транзисторов определяются  свойствами мате­риала, из которого они изготавливаются, технологией их производства, конструкцией, режимом работы и схемой включения. С ростом частоты усилительные свойства ухудшаются. Это означает, что уменьшается уси­ление, падает выходная мощность, появляется фазовый сдвиг, т. е. за­паздывание выходного тока по отношению к входному. На диапазон рабо­чих частот транзисторов оказывают влияние следующие параметры: – …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15900

Усилительный каскад на биполярном транзисторе. Расчёты основных параметров

фыывампи4

Усилительный каскад должен содержать транзистор, источник электри­ческой энергии и вспомогательные элементы. Во входную цепь включа­ется источник сигнала, а в выходную – нагрузка. В дальнейшем будем описывать источник сигнала в виде генератора с напряжением er и внут­ренним сопротивлением Rr, а нагрузку – резистором Rн . На рис. 4.16 приведена схема усилительного каскада с ОЭ. Полярность источника …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15887

Малосигнальные параметры и эквивалентная схема

Характеристики транзистора нелинейны. Однако если он находится в некотором режиме (режим определяется током через транзистор и напря­жений на его электродах), то при малом изменении токов и напряжений участки характеристик можно считать отрезками прямых. В таком случае для малых сигналов транзистор можно представить линейным четырёхпо­люсником. Он описывается системой двух линейных алгебраических урав­нений:         (4.8) Применение h-параметров (а …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15724

Влияние температуры на статистические характеристики

Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным её параметра аналогично её влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой  . С ростом температуры тепловой ток Iэо растёт быстрее, чем убывает экспонента из-за увеличения . В результате противоположного влияния двух факторов входные характеристики схемы …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15706

Статические характеристики

4.7

Существует три основных схемы включения транзистора как четырех­полюсника: схема с общей базой ( ОБ ), общим эмиттером ( ОЭ ) и общим  коллектором ( ОК ) (рис. 4.6).   Рис. 4.6 При любой схеме включения принцип работы транзистора остается неизменным и все физические процессы, описанные при рассмотрении транзистора в схеме с ОБ, остаются в силе …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15691

Страница 1 из 212
. .