Архив по категории: Полевые транзисторы

 

Усилительный каскад на полевом транзисторе

Рассмотрим простейший усилительный каскад на полевом транзи­сторе, включенном по схеме ОИ, принципиальная схема которого приве­дена на рис. 5.16. В качестве активного элемента каскад содержит n-ка­нальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. К входу каскада подключается источник входного сигнала (генератор с эдс er = Er m sinωt и внутренним сопротивлением Rr). На выходе каскада включена нагрузка Rн. …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/16076

Полевой транзистор с затвором Шоттки

5.155

Упрощенная структура МЕП-транзистора или транзистора с металло­полупроводниковым затвором (затвором Шоттки) приведена на рис. 5.15. Транзистор создается на подложке из арсенида галлия (GaAs). Тонкий токопроводящий канал здесь создается технологическим путем. Затвор из сплава титана и вольфрама наносится непосредственно на поверхность канала. Между металлическим затвором и полупроводником образуется выпрямляющий контакт (барьер Шоттки), имеющий свойства, схожие с p-n-переходом. …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/16070

Полевой транзистор с плавающим затвором

5.13

В постоянных запоминающих устройствах (ПЗУ) используется специ­альные типы МДП-структур, способные в течение длительного времени хранить двоичную информацию. Наибольшее распространение получили структуры с плавающим затвором, в которых между основным (управляю­щим) затвором и подложкой расположен дополнительный затвором и под­ложкой расположен дополнительный затвор, со всех сторон окруженный диэлектриком («плавающий» в диэлектрике затвор). На рис. 5.13 приведена упрощенная структура …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15975

Полевые транзисторы с изолированным затвором

5.58

Полевой транзистор с p-n-переходом имеет два недостатка: через вывод затвора протекает, хотя и не большой, но отличный от нуля ток за­крытого p-n-перехода. Во избежание открывания p-n-перехода напряжение на затворе мо­жет быть только одной определенной полярности – отрицательной для n-ка­на­ла и положительной для p-канала. Этих недостатков нет у полевых транзисторов с изолированным затвором. У них затвор …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15960

Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала

5.5

Как отмечалась ранее, для малого сигнала полевого транзистора пред­ставляется линейным трехполюсником. Эквивалентная схема его показана на рис. 5.5. На ней изображены три электрода транзистора – сток, исток и затвор. Тот факт, что ток  в цепи сток – исток зависит от напряжения между, сто­ком и истоком, отражается на эквивалентной схеме сопротивлением  Зависимость этого же тока от …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15940

Страница 1 из 212