Архив по категории: Контактные явления в полупроводниках

 

Емкости p-n-перехода

Двойной электрический слой пространственного заряда p-n-перехода, обедненный подвижными носителями заряда, имеет конечную толщину и его можно рассматривать как плоский конденсатор с емкостью                                  (2.11)   где ε0 – электрическая постоянная; ε– диэлектрическая проницаемость полупроводника; δ – ширина перехода. Ширина δ для несимметричных p-n-переходов (ND<< NA) равна                             (2.12)   где ND – концентрация донорных примесей; U – …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15613

Реальная вольтамперная характеристика p-n-перехода

рис34

При выводе уравнения I=I0(exp(U/φT) – 1) не учитывались такие явле­ния, как термогенерация носителей в запирающем слое перехода, поверх­ностные утечки тока, падение напряжения на сопротивлении нейтральных областей полупроводника, а также явления пробоя при определенных об­ластных напряжениях. Поэтому экспериментальная вольтамперная харак­теристика p-n-перехода отличается от  теоретической (рис. 2.4). При прямом напряжении на p-n-пе­реходе отклонение реальной харак­те­ристики от идеальной …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15604

Теоретическая вольтамперная характеристика p-n-перехода

Безымянный123

Вольтамперная характеристика (ВАХ) представляет собой график зависимо­сти тока во внешней цепи p-n-перехода от значения и полярности напря­жения, прикладываемого к нему. Эта зависимость может быть получена экспериментально или рассчитана на основании уравнения вольтампер­ной характеристики [2]. При включении p-n-перехода в прямом направлении в результате ин­жекции возникает прямой диффузионный ток   I = In диф(хp)  =SqDn (dΔn/dx) |x=xp, …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15593

Прямое и обратное включение p-n перехода

Безымянный

Если на p-n-переход подать внешнее напряжение u, то равновесие ме­жду диффузионными и дрейфовыми потоками в переходе нарушится и че­рез всю структуру будет протекать ток I = Jдиф – Jпров. Будем считать, что практически всё внешнее напряжение падает на p-n-переходе и контактная разность потенциалов соответственно изменя­ется до величины φk–u; где u>0 соответствует подаче прямого напряже­ния на …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15557

Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия

В основе большинства полупроводниковых диодов и транзисторов ле­жит контакт двух полупроводников с различным типом электропроводнос­ти. Он может быть получен, например, путём диффузии донорной примеси в полупроводник p-типа. Идеализированная одномерная структура p-n-пе­рехода изображена на рис. 2.1, а. Рассмотрим физические процессы в структуре, определяющие свой­ст­ва p-n-перехода. Будем полагать, что концентрация легирующей примеси в областях n- и p-типа …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15369

Страница 1 из 212
. .