Электропроводность полупроводника обусловлена направленным перемещением в нем носителей заряда – электронов и дырок. Различают электронную и дырочную электропроводности полупроводника. Направленное движение носителей может быть вызвано двумя независимыми друг от друга факторами – действием электрического поля и неравномерным распределением носителей по… Продолжить чтение
Дырочным полупроводником или полупроводником типа p (от латинского positive – положительный) называется полупроводник, в кристаллической решётке которого (рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома может… Продолжить чтение
Электронным полупроводником или полупроводником типа n (от латинского negative – отрицательный) называется полупроводник, в кристаллической решетке которого (рис. 1.3) помимо основных (четырехвалентных) атомов содержатся примесные пятивалентные атомы, называемые донорами. В такой кристаллической решетке четыре валентных электрона примесного атома заняты в… Продолжить чтение
Собственные полупроводники имеют кристаллическую структуру, характеризующуюся периодическим расположением атомов в узлах пространственной кристаллической решетки. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами ковалентными связями (рис. 1.2.), в результате которых происходит обобществление валентных электронов и образование устойчивых электронных… Продолжить чтение
Твердые тела, существующие в природе делятся на аморфные и кристаллические. Большинство применяемых в настоящее время полупроводников относятся к кристаллическим телам, атомы которых расположены в определенном порядке и образуют пространственную решетку. Почти все они обладают ковалентной связью, при которой взаимное притяжение… Продолжить чтение