Архив по категории: Физические основы полупроводниковых приборов

 

Токи в полупроводниках

Электропроводность полупроводника обусловлена направленным пе­ремещением в нем носителей заряда – электронов и дырок. Различают электронную и дырочную электропроводности полупроводника. Направленное движение носителей может быть вызвано двумя незави­симыми друг от друга факторами – действием электрического поля и не­равномерным распределением носителей по объёму полупроводника. Различают два процесса прохождения тока в кристалле полупроводника – дрейф и диффузию. Диффузия …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15345

Дырочные полупроводники

1

Дырочным полупроводником или полупроводником типа p (от латин­ского positive – положительный) называется полупроводник, в кристалли­ческой решётке которого (рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома может заполнить электрон, покинувший одну из соседних связей. При этом примесный атом превращается в отрицательный ион, …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15289

Электронные полупроводники

1

Электронным полупроводником или полупроводником типа n (от латин­ского negative – отрицательный) называется полупроводник, в кристалли­ческой решетке которого (рис. 1.3) помимо основных (четырехвалентных) атомов содержатся примесные пятивалентные атомы, называемые доно­рами. В такой кристаллической решетке четыре валентных электрона при­месного атома заняты в ковалентных связях, а пятый ("лишний") электрон не может вступить в нормальную ковалентную связь и легко …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15286

Собственные полупроводники

2

Собственные полупроводники имеют кристаллическую структуру, ха­рактеризующуюся периодическим расположением атомов в узлах про­странственной кристаллической решетки. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами ковалентными связями (рис. 1.2.), в результате которых происходит обобществление валентных электронов и образование устойчивых электронных оболочек, состоящих из восьми электронов. При температуре абсолютного нуля (Т = 0 К) все ва­лентные …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15282

Общие сведения о полупроводниках

1

Твердые тела, существующие в природе делятся на аморфные и кри­сталлические. Большинство применяемых в настоящее время полупро­водников относятся к кристаллическим телам, атомы которых располо­жены в определенном порядке и образуют пространственную решетку. Почти все они обладают ковалентной связью, при которой взаимное при­тяжение двух атомов осуществляется благодаря общей паре валентных электронов, вращающихся по орбите вокруг этих атомов. Согласно …

Читать далее »

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/15278

. .