Ошибка базы данных WordPress: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Малосигнальные параметры и эквивалентная схема

Характеристики транзистора нелинейны. Однако если он находится в некотором режиме (режим определяется током через транзистор и напря­жений на его электродах), то при малом изменении токов и напряжений участки характеристик можно считать отрезками прямых. В таком случае для малых сигналов транзистор можно представить линейным четырёхпо­люсником.
Он описывается системой двух линейных алгебраических урав­нений:         (4.8)

1й1йПрименение h-параметров (а не y-параметров, z-параметров и др.) обусловлено тем, что для их экспериментального определения необ­ходимо производить короткое замыкание на выходе и холостой ход на входе. Так как транзистор имеет низкоомный вход и высоокоомный выход, то эти режимы легко осуществимы.

Зададим приращения токов и напряжений в виде малых гармонических колебаний. Тогда уравнения (4.8) можно записать

 

 U1m = h11I1m + h12U2m

 I2m = h21I1m+ h22U2m.                                                                                                                              (4.9)

 

Уравнениям (4.9) соответствует эквивалентная схема (рис. 4.13).

4.13

Из (4.9) вытекают смысл и наименование h-параметров:

1221    – входное сопротивле-
ние транзистора при коротком замыка­нии на выходе для переменной составляющей тока;

123123 – коэффициент обратной связи по напряжению при ра­зомкнутом входе для переменной составляющей тока;

 

12341ё234– дифференциальный коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей;

1515      – выходная проводимость транзистора при разомкну­том входе для переменной составляющей тока.

На высоких частотах между переменными составляющими токов и на­пряжений появляются фазовые сдвиги и параметры становятся комплекс­ными.

При этом (4.9) записываются в виде

16156(4.10)

.

 

 

H-параметры легко найти по входным и выходным характеристикам. Например, для схемы с ОЭ определение h-параметров поясняют рис. 4.14 и 4.15.

фывв4.15

Для правильного нахождения параметров необходимо следить за тем, чтобы положение точки А (рабочей точки), в окрестности которой опреде­ляются параметры и координаты которой задают режим транзистора, на входных и выходных характеристиках соответствовало одному и тому же режиму.

Источник:В.А. Нахалов,Электронные твердотельные приборы

admin

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *