Отвечая на возрастающие запросы рынка высокочастотных мощных транзисторов, Freescale Semiconductor представила два универсальных устройства, изготовленных с использованием технологического процесса LDMOS и демонстрирующих совершенно новые уровни линейности, широкополосности и надежности.
Новые транзисторы, получившие обозначения MRFE6VS25N и MRFE6VP100H, рассчитаны на 25 и 100 Вт, соответственно. Обеспечивая полную выходную мощность в режиме усиления немодулированного сигнала во всем диапазоне частот, приборы позволят повысить надежность систем при одновременном упрощении конструкции и снижении цены.
Устройства представляют собой конкурентоспособную альтернативу предназначенным для аналогичных применений нитрид галлиевым транзисторам, и способны работать на сильно рассогласованную нагрузку с КСВН равным 65:1 при потрясающей линейности и существенно более низкой цене. Широкополосные LDMOS транзисторы предназначены для безупречной работы в чрезвычайно тяжелых условиях эксплуатации при ограниченных возможностях сервисного обслуживания оборудования. Области применения включают передатчики и приемопередатчики метрового и дециметрового диапазонов, телевизионные передатчики, аэрокосмические и оборонные системы, измерительные приборы и радиолокационное оборудование.
Прибор
ы упаковываются в разработанные Freescale корпуса с низким тепловым сопротивлением, минимизирующие тепловую нагрузку кристалла, благодаря которым снижаются требования к охлаждению транзисторов и одновременно повышается их долговременная надежность. Устройства содержат внутренние цепи коррекции, гарантирующие стабильность в широком диапазоне рабочих режимов и упрощающих структуру внешних схем. В целях обеспечения высокой надежности Freescale испытывает транзисторы далеко за пределами допустимых режимов, контролируя параметры при напряжении питания, превышающем допустимое на 20%, при входной мощности двукратно превосходящей предельную и КСВН равном 65:1.
Универсальность применения
Широкий диапазон рабочих частот MRFE6VS25N и MRFE6VP100H позволяет разработчикам одним усилителем перекрывать несколько частотных диапазонов, таких как 1.8 … 54 МГц или 30 … 512 МГц. В результате уменьшается количество необходимых компонентов, сокращаются вес и размеры усилителя, снижаются потери на переключение и расходы на охлаждение. Транзисторы существенно дешевле своих GaN аналогов, имеющих сопоставимые характеристики надежности и широкополосности.
Основные технические характеристики транзисторов MRFE6VS25N и MRFE6VP100H
|
Выходная мощность
в постоянном режиме |
25 Вт
|
100 Вт
|
|
Усиление
|
> 26 дБ (1.8 … 30 МГц)
|
> 26 дБ (512 МГц)
|
|
> 25 дБ (512 МГц)
|
> 19 дБ (30 … 512 МГц)
|
|
|
КПД
|
50 … 73%
|
40 … 71%
|
|
Макс. КСВН
|
65:1
|
65:1
|
Транзистор MRFE6VS25N выпускается в пластиковом корпусе TO-270-2, а MRFE6VP100H/HS в металлокерамических корпусах NI-780-4 и NI-780S-4 с внутренними воздушными полостями.
Доступность
MRFE6VS25N и MRFE6VP100H уже выпускаются серийно. Доступны также оценочные наборы и другие средства поддержки разработчиков. Инженерные образцы и информация о ценах предоставляются компанией Freescale Semiconductor и ее авторизованными дистрибьюторами.
На английском языке: New Freescale RF Power Transistors Deliver Unmatched Combination of Ruggedness, Frequency Range and Broadband Capabilities
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман
