До сих пор у музыкантов неоспорим интерес к ламповой аппаратуре для электромузыкальных инструментов. Однако определённое сходство характеристик ламп и полевых транзисторов с р—n переходом позволяет в ряде случаев и с транзисторами достигать аналогичного эффекта в создании специфического звучания. Описываемый эмулятор с полевым транзистором можно использовать как отдельное устройство к транзисторному УМЗЧ промышленного производства, так и встроить его в изготавливаемый, например, для электрогитары, усилитель.
Основное достоинство полевых транзисторов с p-n переходом — низкий уровень гармонических и интермодуляционных искажений при усилении напряжения, вследствие чего звучание ЭМИ с УМ на их основе напоминает звучание с ламповыми усилителями. Коэффициент гармоник даже с местными ООС не превышает 0,1…0,3 %, причём гармоники высших порядков отсутствуют. Благодаря этому обстоятельству конструкторы всё чаще применяют в выходных каскадах УМЗЧ так называемые латеральные транзисторы (структура МОП с боковым каналом), например, 2SK1058, 2SJ162 производства Renesas Electronics. Однако в предварительных каскадах полевые транзисторы применяют редко, в основном в любительских разработках.
Достоинства полевых транзисторов особенно ярко проявляются в простых усилителях без общей обратной связи. Однако вследствие заметного технологического разброса параметров звучание с каждым экземпляром одного типа прибора становится индивидуальным. Это обстоятельство становится преимуществом в тех случаях, когда вносимая окраска звучания является художественным средством — например, в усилителях для электрогитар.
Традиционно решение этой задачи возлагается на ламповые усилители, которые используются с электрогитарами в двух режимах: «чистого» звучания (с характерным для ламп окрашиванием звучания чётными гармониками) и в режиме перегрузки (с большим уровнем гармонических и интермодуляционных составляющих). Эксплуатационные недостатки вакуумных ламп общеизвестны, поэтому вполне естественно желание добиться того же эффекта другими способами.
Сравним поведение электронной лампы и транзистора с затвором на основе р-n перехода, используя их характеристики (рис. 1).
В электронной лампе при сигнале плюсовой полярности на управляющей сетке появляется сеточный ток, сетка становится «конкурентом» анода, перехватывая эмитированные катодом электроны. Это замедляет рост тока анода и даже может привести к его снижению, когда ток катода начинает перераспределяться между анодом и сеткой. Ток насыщения лампы определяется максимальным током, который можно отбирать с катода.
В полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа происходят подобные явления, однако ток затвора появляется после превышения напряжения открывания p-n перехода (более +0,6 В). Ток насыщения полевого транзистора лишь незначительно превышает начальный ток стока и с током затвора не связан. Напряжение стока, при котором наступает режим насыщения, можно определить из условия отсечки канала вблизи стока (Uc нас — напряжение насыщения): Uс нас +|Uз| = |Uз нас|. Поэтому для транзистора с малым напряжением отсечки различия тока насыщения и начального тока стока невелики.
При всех различиях в механизме возникновения перегрузки для нас важно то, что их роднит: появление тока сетки или тока затвора приводит к резкому снижению входного сопротивления каскада и соответственно снижению коэффициента передачи цепи от предшествующего каскада (или источника сигнала). Но, в отличие от диодных ограничителей сигнала, в ламповых каскадах это ограничение мягкое и лишь в небольшой степени затрагивает динамику сигнала. Порог ограничения «следит» за уровнем сигнала благодаря цепи утечки сетки. Таким образом, чтобы добиться того же эффекта в транзисторном каскаде, нужно использовать фиксированное смещение взамен автоматического и установить «гридлик» аналогично ламповым схемам.
Рассчитать режимы каскада по постоянному току и коэффициент передачи можно по методу линейной аппроксимации [1]. Этот метод существенно проще и нагляднее приведённого в [2] и обеспечивает практически те же результаты.
На рис. 2 приведена схема рассчитанного каскада. Кремниевые диоды VD1, VD2 (например, КД102, КД522 с любым буквенным индексом) в цепи истока полевого транзистора фиксируют его потенциал на уровне 1,3…1,4 В. Переменный резистор R5 изменяет напряжение смещения на затворе (отрицательное относительно истока) примерно в интервале 0…1,2 В. При использовании ПТ с небольшим напряжением отсечки (0,5…2 В) это позволяет установить рабочую точку на любом участке характеристики — линейном, в области верхнего или нижнего изгиба. Динамические изменения дифференциального сопротивления диодов VD1, VD2 (несколько десятков ом в сравнении с сотнями ом сопротивления истока ПТ) в интервале размаха сигналов не приводят к заметному росту нелинейных искажений в каскаде: в конечном счётеэтот эмулятор предназначен для обогащения спектра.
Цепь R3C3 образует гридлик: при появлении тока затвора конденсатор СЗ заряжается и рабочая точка динамически сдвигается влево к линейному участку амплитудной характеристики. Без этой RC-цепи ограничение сигнала будет жёстким, «транзисторным». Постоянная времени гридлика определяется, в частности, конденсатором С3, изменение его ёмкости в пределах 1…10 нФ оказывает влияние на характер динамического ограничения сигнала и тембр звучания.
Входной сигнал должен иметь амплитуду напряжения 0,5… 1 В, поэтому на входе каскада необходим линейный усилитель, доводящий сигнал до этого уровня.
ЛИТЕРАТУРА
- Межлумян А. О расчёте ступеней на полевом транзисторе. — Радио, 2000, № 6, с. 45-48.
- Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике. — М.: Мир, 1991, с. 74-79.
Автор: А. ШИХАТОВ, г. Москва
Источник: Радио №3, 2016