Компания ON Semiconductor, разработчик инновационных решений в области энергоэффективности, представила два новых MOSFET-транзистора, предназначенных для использования в смартфонах и планшетных компьютерах. В этих устройствах они применяются в схемах контроля заряда и разряда Li-ion аккумуляторов. Модели EFC6601R и EFC6602R позволяют инженерам уменьшить размеры схемы, улучшить ее эффективность и увеличить срок службы аккумуляторов.
Новые транзисторы предназначены для работы с одиночными и сдвоенными Li-ion батареями. Они полностью отвечают требованиям RoHS по содержанию вредных веществ и имеют наименьшее в отрасли значение сопротивления открытого канала (RDS(ON)). Устройства доступны в компактных низкопрофильных корпусах типа LGA, что делает их идеальными для использования в условиях жестко ограниченного пространства, свойственных смартфонам и планшетным компьютерам. EFC6601R имеет максимальное напряжение исток-исток (VSSS) 24 В, а EFC6602R — 12 В. Типовое напряжение управления затвором составляет 2.5 В. Оба транзистора построены по схеме с общим стоком и имеют встроенный защитный диод.
 |
| Схема внутренних электрических соединений транзисторов EFC6601R / EFC6602R |
«Мы разрабатываем MOSFET-транзисторы для схем контроля заряда-разряда Li-ion аккумуляторов со времён появления этих батарей», — говорит Такаши Акиба (Takashi Akiba), директор подразделения МОП-компонентов SANYO Semiconductor компании ON Semiconductor. «Накопленные нами знания и опыт позволяют нам создавать устройства очень малых размеров, которые в свою очередь способствуют продлению срока службы аккумуляторов и увеличивают их эффективность».
В течение года компания ON Semiconductor планирует расширить модельный ряд MOSFET транзисторов в корпусах EFCP пятью новыми изделиями, которые дадут возможность разработчикам различных мобильных устройств сделать свои продукты более компактными и увеличить срок службы аккумуляторных батарей.
Отличительные особенности:
- Напряжение управления затвором 2.5 В
- Конфигурация с общим стоком
- Защита от электростатических разрядо 2 кВ (модель человеческого тела, HBM)
- Встроенный защитный диод
- Не содержит галогенов
Получить техническую поддержку, заказать образцы и узнать условия поставок интересующей продукции можно в ООО «Гамма Плюс»
- тел.: (812) 320-40-53
- факс: (81378) 3-54-77
- info@icgamma.ru
- www.icgamma.ru
