Гибридные интегральные схемы (ГИС) подразделяются на толстопленочные и тонкопленочные. Конструктивной основой толстопленочных ИС является керамическая подложка, на которую через сетку-трафарет последовательно наносят проводящие, резистивные и диэлектрические пасты с последующим вжиганием, создавая таким способом пленочные резисторы, конденсаторы и проводники. Толщина наносимых… Продолжить чтение
Микроэлектроника – это область электроники, охватывающая проблемы исследования, разработки и применения микроэлектронных изделий, в состав которых входят элементы, имеющие микронные размеры, а их допуски составляют доли микрометра. Ведущее место среди микроэлектронных изделий занимают интегральные схемы, применение которых позволяет успешно решать… Продолжить чтение
В основе большинства полупроводниковых диодов и транзисторов лежит контакт двух полупроводников с различным типом электропроводности. Он может быть получен, например, путём диффузии донорной примеси в полупроводник p-типа. Идеализированная одномерная структура p-n-перехода изображена на рис. 2.1, а. Рассмотрим физические процессы в… Продолжить чтение
Электрическим переходом называют переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости. Если одна из контактирующих областей – металл, а другая – полупроводник, то такой электрический переход называют переходом Шоттки. Если… Продолжить чтение
Электропроводность полупроводника обусловлена направленным перемещением в нем носителей заряда – электронов и дырок. Различают электронную и дырочную электропроводности полупроводника. Направленное движение носителей может быть вызвано двумя независимыми друг от друга факторами – действием электрического поля и неравномерным распределением носителей по… Продолжить чтение