В распоряжении сетевых источников оказалась новая неофициальная информация о процессорах AMD следующего поколения с кодовым именем Carrizo.
Сообщается, что в конфигурацию чипов может войти модуль памяти HBM Stacked DRAM. Память с высокой пропускной способностью HBM (High Bandwidth Memory) предусматривает использование нескольких кристаллов, соединённых по технологии TSV (Through Silicon Vias). Такой подход обеспечивает высокую скорость передачи данных при относительно небольшой занимаемой площади.
Для HBM предусмотрено два варианта исполнения — 2-Hi и 4-Hi. В первом случае пропускная способность достигает 64 Гбайт/с, во втором — 128 Гбайт/с. Любопытно, что, по данным сетевых источников, чипы Carrizo будут производиться по 28-нанометровой технологии, в то время как память HBM — по 20-нанометровой.
Ранее сообщалось, что Carrizo унаследуют от предшественников в лице Kaveri такие характеристики, как контроллер памяти DDR3, поддержка PCI Express 3.0 и возможность работы с набором логики AMD A88X/A78. Чипы будут совместимы с материнскими платами FM2 ; значение рассеиваемой тепловой энергии (TDP) составит не более 65 Вт.
Анонс Carrizo ожидается в 2015-м. В следующем году компания AMD также предложит процессоры Beema — экономичные «системы на чипе» со встроенным криптографическим сопроцессором. Эти изделия придут на смену Kabini.
