Модуль оперативной памяти DDR4 объемом 128 гигабайт изготовлен по 20- нанометровому техпроцессу и построен на 8-гигабайтных чипах DDR4 с использованием технологии межслойных соединений Through-Silicon Via (TSV).
Компания SK hynix представила первый в мире модуль оперативной памяти DDR4 объемом 128 гигабайт. Модуль, изготовленный по 20-нанометровому технологическому процессу, состоит из 16 чипов памяти DDR4, объем каждого из которых составляет 8 Гб.
Для работы модуля памяти необходимо напряжение 1,2 вольта, в то время как для DDR3 – 1,35 вольта. Новинка поддерживает частоту 2133 МГц по 64-битному интерфейсу ввода/вывода. Пропускная способность составляет 17 Гбайт/с.
Ожидается, что когда компании Intel и AMD обеспечат поддержку памяти DDR4 в своих материнских платах, скорость работы значительно увеличится, а энергопотребление снизится на 20-40%.
Предполагается, что серверные процессоры с поддержкой модулей памяти DDR4 появятся в конце текущего года, а первые ПК с новыми материнскими платами – в 2015 году. По мнению же экспертов, первый в мире модуль DDR4 на 128 ГБ поступит в массовое производство в 2016 году.
