Исследователи из Технологического института Джорджии (США) и Института инновационной высокопроизводительной микроэлектроники (Германия) продемонстрировали в действии самое быстродействующее устройство на базе кремния изо всех, когда-либо созданных человеком.
Криогенная зондовая установка для испытания транзисторов нового типа (здесь и ниже изображения Технологического института Джорджии).
Учёные получили кремниево-германиевый транзистор (SiGe), способный функционировать на частоте в 798 ГГц. Это приблизительно на 200 ГГц выше прежнего рекорда, зафиксированного для изделий данного класса. Достижение ещё на один шаг приближает ИТ-отрасль к переходу на терагерцевые микрочипы, работающие на частоте свыше 1 000 ГГц.
Экспериментальное изделие представляет собой биполярный гетеротранзистор: в структуру кремниевого транзистора на наноуровне внедрён сплав SiGe. Изделие изготовлено по технологии BiCMOS, предусматривающей использование биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Производственные нормы — 130 нанометров.
Частоты на уровне 800 ГГц удалось достичь в специальной криогенной установке, в которой температура поддерживалась на отметке в 4,3 кельвина, или приблизительно минус 269 градусов Цельсия. При комнатной температуре удалось показать результат в 417 ГГц.
По словам исследователей, их достижение открывает путь к созданию транзисторов, функционирующих на рекордных частотах в обычных температурных условиях. А это значит, что в перспективе станет возможным создание качественно новых систем обработки и передачи информации на недостижимых сегодня скоростях.
Учёные также отмечают, что даже в текущем виде транзисторы нового типа могут найти практическое применение. К примеру, это может быть космическая аппаратура, рассчитанная на эксплуатацию в экстремальном холоде.
