Характеристики транзистора нелинейны. Однако если он находится в некотором режиме (режим определяется током через транзистор и напряжений на его электродах), то при малом изменении токов и напряжений участки характеристик можно считать отрезками прямых. В таком случае для малых сигналов транзистор можно представить линейным четырёхполюсником.
Он описывается системой двух линейных алгебраических уравнений: (4.8)
Применение h-параметров (а не y-параметров, z-параметров и др.) обусловлено тем, что для их экспериментального определения необходимо производить короткое замыкание на выходе и холостой ход на входе. Так как транзистор имеет низкоомный вход и высоокоомный выход, то эти режимы легко осуществимы.
Зададим приращения токов и напряжений в виде малых гармонических колебаний. Тогда уравнения (4.8) можно записать
U1m = h11I1m + h12U2m
I2m = h21I1m+ h22U2m. (4.9)
Уравнениям (4.9) соответствует эквивалентная схема (рис. 4.13).
Из (4.9) вытекают смысл и наименование h-параметров:
– входное сопротивле-
ние транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
– коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока;
– дифференциальный коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей;
– выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.
На высоких частотах между переменными составляющими токов и напряжений появляются фазовые сдвиги и параметры становятся комплексными.
При этом (4.9) записываются в виде
(4.10)
.
H-параметры легко найти по входным и выходным характеристикам. Например, для схемы с ОЭ определение h-параметров поясняют рис. 4.14 и 4.15.
Для правильного нахождения параметров необходимо следить за тем, чтобы положение точки А (рабочей точки), в окрестности которой определяются параметры и координаты которой задают режим транзистора, на входных и выходных характеристиках соответствовало одному и тому же режиму.
Источник:В.А. Нахалов,Электронные твердотельные приборы
