В радиолюбительской практике часто возникает необходимость в определении физических параметров полупроводниковых элементов или их цоколевки. Как правило, с такой задачей не справляются обычные мультиметры, а искать характеристики радиоэлементов в справочниках отнимает много времени и отвлекает мастера в процессе работы. Именно поэтому для электронщика профессионала или радиолюбителя очень полезным было бы устройство которое быстро поможет определить параметры биполярного или полевого транзистора, тиристора, симистора, диода, диодной сборки, сопротивление резистора или емкость конденсатора .
Вашему вниманию представляю довольно простую схему (Рис.1) тестера радиоэлементов, собранного на микроконтроллере ATMega8 (IC2). Измерение проводится через три контакта Х1, Х2, Х3, и выводится на стандартный жидкокристаллический дисплей на шестнадцать знаков в две строки. Важно чтобы в дисплей был построен на HD44780 совместном контроллере. С помощью резисторов R9 -14 создано несколько уровней напряжения и тока, и, следовательно, значение измеряется по трех входах внутреннего аналого-цифрового преобразователя микроконтроллера.
Рис.1. Принципиальная схема тестера полупроводниковых элементов на микроконтроллере ATMega8
Микроконтроллер и дисплей питаются напряжением +5В через интегральный стабилизатор 7805L, который включается через транзистор VT1. При нажатии клавиши S1 производится замер элемента.
Информация по различным типам элементов, выводимая на дисплей, приведена ниже в таблице:
| Типы проверяемых элементов | Информация на дисплее |
|---|---|
| N-P-N транзисторы | «NPN» (1, 2, 3 выводы) hFE-коэфф ус. Uf [mV] — прямое напряжение |
| P-N-P транзисторы | «PNP» (1, 2, 3 выводы) hFE-коэфф.ус. Uf [mV] — прямое напряжение |
| N-канальные-обогащенные MOSFET | «N-E-MOS» Vt [mV]-напряжение открыванияC= [nF]- емкость затвора. |
| P-канальные-обогащенные MOSFET | «P-E-MOS» |
| N-канальные-обедненные MOSFET | «N-D-MOS» |
| P-канальные-обедненные MOSFET | «P-D-MOS» |
| N-канальные JFET | «N-JFET» |
| P-канальные JFET | «P-JFET» |
| Тиристоры | «Tyrystor» |
| Симисторы | «Triak» |
| Диоды | «Diode» |
| Двухкатодные сборки диодов | «Double diode CK» |
| Двуханодные сборки диодов | «Double diode CA» |
| Два последовательно соединенных диода | «2 diode series» |
| Диоды симметричные | «Diode symmetric» |
| Резисторы — диапазон от 0,5 К до 500К [K] | Прибор не дает высокой точности |
| Конденсаторы — диапазот 0,2nF до 1000uF [nF,uF] | Прибор не дает высокой точности |
Список необходимых радиоэлементов для конструирования данного проекта:
R9, R11, R13 - 680R
R10, R12, R14 - 470k
R6, R8 - 27k
R7 - 100k
R5 - 33K
R1, R3 - 10K
R2 - 3K3
R4 6K8
C1, C2, C3 - 100n
VT2, VT3 - КТ3102
VT1 - КТ3107
IC1 - 7805L
IC2 - ATMEGA8-16PU
LCD - MC1602E (HD44780 совместимый) Для прошивки микроконтроллера через программу CVAVR, настраиваем fuse-биты так, как показано на Рис.2.Рис.2. Fuse-биты для программирования микроконтроллера ATMega8 Ниже на фото представлены примеры измерения параметров радиоэлементов (Рис.3, Рис.4., Рис.5.)
Рис.3. Измерение параметров транзистора
Рис.4. Измерение параметров светодиода
Рис.5. Измерение параметров неполярного конденсатора
Архив к проекту: [hidepost] Прошивки микроконтроллера [/hidepost]
Ошибка базы данных WordPress: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1626) ORDER BY umeta_id ASC