WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC
Двойной электрический слой пространственного заряда p-n-перехода, обедненный подвижными носителями заряда, имеет конечную толщину и его можно рассматривать как плоский конденсатор с емкостью \(C=\frac{\varepsilon \varepsilon _{0}S}{\delta }\) (2.11) где ε0 – электрическая постоянная; ε– диэлектрическая проницаемость полупроводника; δ – ширина перехода. Ширина… Continue Reading
При выводе уравнения I=I0(exp(U/φT) – 1) не учитывались такие явления, как термогенерация носителей в запирающем слое перехода, поверхностные утечки тока, падение напряжения на сопротивлении нейтральных областей полупроводника, а также явления пробоя при определенных областных напряжениях. Поэтому экспериментальная вольтамперная характеристика p-n-перехода… Continue Reading
Вольтамперная характеристика (ВАХ) представляет собой график зависимости тока во внешней цепи p-n-перехода от значения и полярности напряжения, прикладываемого к нему. Эта зависимость может быть получена экспериментально или рассчитана на основании уравнения вольтамперной характеристики [2]. При включении p-n-перехода в прямом направлении… Continue Reading
Если на p-n-переход подать внешнее напряжение u, то равновесие между диффузионными и дрейфовыми потоками в переходе нарушится и через всю структуру будет протекать ток I = Jдиф – Jпров. Будем считать, что практически всё внешнее напряжение падает на p-n-переходе и… Continue Reading
В основе большинства полупроводниковых диодов и транзисторов лежит контакт двух полупроводников с различным типом электропроводности. Он может быть получен, например, путём диффузии донорной примеси в полупроводник p-типа. Идеализированная одномерная структура p-n-перехода изображена на рис. 2.1, а. Рассмотрим физические процессы в… Continue Reading