WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Symboles des paramètres électriques de FET

Désignation Параметр
S1-S2/I(U) крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U).
I01-I02/U начальный ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и напряжение на стоке, при котором это значение измеряется.
Iз/Uз ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
Cвх входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
Cпр проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
Cвых выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
(U0)Uзи/Iс напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс).
Uзс максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
Uзи максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
Uси максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
максимально допустимый постоянный ток стока.
P максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
S1/S2 Соотношение максимальной крутизны полевых транзисторов в сборке
I01/I02 Соотношение начальных токов стока полевых транзисторов в сборке

administrateur

Laisser un commentaire

Your email address will not be published. Required fields are marked *