| Désignation | Параметр |
| S1-S2/I(U) | крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U). |
| I01-I02/U | начальный ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и напряжение на стоке, при котором это значение измеряется. |
| Iз/Uз | ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки. |
| Cвх | входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс. |
| Cпр | проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс. |
| Cвых | выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи. |
| (U0)Uзи/Iс | напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс). |
| Uзс | максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком. |
| Uзи | максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком. |
| Uси | максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком. |
| Iс | максимально допустимый постоянный ток стока. |
| P | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе. |
| S1/S2 | Соотношение максимальной крутизны полевых транзисторов в сборке |
| I01/I02 | Соотношение начальных токов стока полевых транзисторов в сборке |