WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Faircild erhöht die Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit der Familie Sperr-Graben-IGBT

Fairchild Semiconductor выпустила новую серию IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором) с рабочим напряжением до 1200 В, выполненных с использованием технологии «field stop trench IGBT».

Основной областью применения этих транзисторов являются системы преобразования электроэнергии, предназначенные, в частности, для солнечных инверторов, систем бесперебойного электропитания, сварочных аппаратов и т. п.

1Новая серия позволяет повысить эффективность преобразования и обеспечить повышенную надежность за счет расширения области безопасной работы и улучшений ключевых характеристик. По сравнению с предыдущим поколением IGBT на 1200 В, выполненных по технологии NPT, они имеют меньшее падение напряжения в открытом состоянии (VCE порядка 1.8 В) и по этому параметру значительно их превосходят. Кроме этого, новая серия обладает меньшими потерями переключения, так как за счет изменения полупроводниковой структуры энергия, затрачиваемая на переход из открытого состояния в закрытое (EOFF), имеет значение менее 30 мкДж/А. Транзисторы снабжены защитными диодами с малым временем восстановления, что обеспечивает возможность их применения в преобразовательных каскадах с индуктивной нагрузкой.

Совокупность всех улучшений позволяет увеличить рабочую частоту, облегчить тепловой режим за счет уменьшения потерь преобразования и, по сравнению с корпусами TO264 предыдущих поколений, уменьшить габариты конечного изделия за счет применения малогабаритных корпусов TO247 c выводами длиной 20 миллиметров.

На данный момент серия состоит из транзисторов на максимальные токи 15, 25 и 40 А.

Die wichtigsten technischen Merkmale:

  • Малое напряжение насыщения (1.8 В при максимальном токе)
  • Высокая скорость переключения: EOFF = 27 мкДж/А
  • Расширенная область безопасной работы (тестируется при работе на полностью индуктивную нагрузку с достижением максимального тока не менее 4 раз)
  • Простота параллельного включения благодаря положительному температурному коэффициенту
  • Максимальная температура кристалла 175 °C
  • Высокое входное сопротивление
  • Соответствие требованиям директивы RoHC

На данный момент возможна поставка как образцов, так и промышленных партий транзисторов. Приборы с рабочими токами 15, 25 и 40 А имеют обозначения FGH15T120SMD_F155, FGH25T120SMD_F155 и FGH40T120SMD_F155, и в партиях из 1000 шт. стоят $3.30, $4.65 и $6.30, соответственно. Срок поставки 8-12 недель.

РадиоЛоцман

Admin

Hinterlasse eine Antwort

Your email address will not be published. Required fields are marked *