Fairchild Semiconductor выпустила новую серию IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором) с рабочим напряжением до 1200 В, выполненных с использованием технологии «field stop trench IGBT».
Основной областью применения этих транзисторов являются системы преобразования электроэнергии, предназначенные, в частности, для солнечных инверторов, систем бесперебойного электропитания, сварочных аппаратов и т. п.
Совокупность всех улучшений позволяет увеличить рабочую частоту, облегчить тепловой режим за счет уменьшения потерь преобразования и, по сравнению с корпусами TO264 предыдущих поколений, уменьшить габариты конечного изделия за счет применения малогабаритных корпусов TO247 c выводами длиной 20 миллиметров.
На данный момент серия состоит из транзисторов на максимальные токи 15, 25 и 40 А.
Die wichtigsten technischen Merkmale:
- Малое напряжение насыщения (1.8 В при максимальном токе)
- Высокая скорость переключения: EOFF = 27 мкДж/А
- Расширенная область безопасной работы (тестируется при работе на полностью индуктивную нагрузку с достижением максимального тока не менее 4 раз)
- Простота параллельного включения благодаря положительному температурному коэффициенту
- Максимальная температура кристалла 175 °C
- Высокое входное сопротивление
- Соответствие требованиям директивы RoHC
На данный момент возможна поставка как образцов, так и промышленных партий транзисторов. Приборы с рабочими токами 15, 25 и 40 А имеют обозначения FGH15T120SMD_F155, FGH25T120SMD_F155 и FGH40T120SMD_F155, и в партиях из 1000 шт. стоят $3.30, $4.65 и $6.30, соответственно. Срок поставки 8-12 недель.