Память MRAM, изготовленная по новой технологии, станет заменой всем типам памяти, используемым в современной электронике
Еще в 2005 году профессор физики Йохан Окермен (Johan Akerman) пророчил, что магниторезистивная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) является одним из главных кандидатов на роль “универсальной памяти”, которая станет заменой различным типам памяти, которые можно обнаружить рядом друг… Continue Reading