Представлен первый в мире модуль DDR4 на 128 ГБ
Модуль оперативной памяти DDR4 объемом 128 гигабайт изготовлен по 20- нанометровому техпроцессу и построен на 8-гигабайтных чипах DDR4 с использованием технологии межслойных соединений Through-Silicon Via (TSV). Компания SK hynix представила первый в мире модуль оперативной памяти DDR4 объемом 128 гигабайт.… Continue Reading