WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Les applications typiques de transistors bipolaires de faible puissance

Travesti Rendez-vous
1Т101 pour travailler dans les amplificateurs de basse fréquence
KT104 pour une utilisation dans les amplificateurs
GT108 pour une utilisation dans les circuits d'amplification et d'impulsion
GT109 pour une utilisation dans l'entrée étages d'amplificateurs basse fréquence
GT115 amplifier élément dans les conceptions de radio amateur
GT116 для работы в формирователях и усилителях импульсов, мультвибраторах и других переключающих схемах
KT117 Transistors unijonction pour utilisation dans les générateurs de faible puissance
KT118 dvuhemitterny transistor pour un fonctionnement dans le circuit de modulateur
KT119 Transistors unijonction pour une utilisation dans des générateurs et des dispositifs de commutation
KT120 pour une utilisation dans les circuits d'amplification et d'impulsion
GT122 pour travailler dans les amplificateurs de basse fréquence
GT124 pour travailler dans les amplificateurs de basse fréquence
GT125 pour travailler dans les amplificateurs de basse fréquence
2Т126 pour une utilisation dans les amplificateurs et les stabilisants DC
KT127-1 pour une utilisation dans les amplificateurs et les stabilisateurs de courant
KT201 pour améliorer les signaux à basse fréquence
KT202 destiné à être utilisé dans les dispositifs d'amplification et d'impulsion
KT203 destiné à être utilisé dans les dispositifs d'amplification et d'impulsion
KT205 destiné à être utilisé dans les dispositifs d'amplification et d'impulsion
KT206 destiné à être utilisé dans les dispositifs d'amplification et d'impulsion
KT207 pour les amplificateurs
KT208 pour utilisation dans des dispositifs de production et amplification
KT209 destiné à être utilisé dans les dispositifs d'amplification et d'impulsion
KT211 normalisées transistors des étages d'entrée de bruit pour les amplificateurs à faible bruit
KT214-9 de travailler dans des dispositifs clés et linéaires
KT215-9 de travailler dans des dispositifs clés et linéaires
KT301 pour utilisation dans des dispositifs de production et amplification
KT302 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц для предварительных каскадов усилителей низкой частоты
KTS303 для работы в выходных каскадах операционных усилителей, усилителях и генераторах низкой и высокой частот и генераторах импульсных сигналов. Состоит из транзисторов n-p-n и p-n-p.
GT305 pour une utilisation dans les circuits d'amplification à haute fréquence
KT306 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
KT307 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
GT308 для работы в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных схемах
GT309 pour une utilisation dans les circuits d'amplification à haute fréquence
GT310 Transistors normalisées facteur de bruit pour une utilisation dans les circuits d'amplification à haute fréquence
GT311 pour amplifier les signaux de haute fréquence et ultra-haute et dispositifs de commutation
KT312 для работы в усилительных, переключательных и генераторных устройствах
GT313 pour amplifier les signaux de haute fréquence et ultra-haute
KT313 amplificateurs pour une utilisation en haute fréquence et dispositifs de commutation
KT314 pour une utilisation dans les circuits de commutation et d'amplification
KT315 для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты
KT316 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
KT317 для работы в схемах усилителей высокой и низкой частоты, в переключающих и импульсных схемах
KT318 pour une utilisation dans les circuits de commutation
GT320 pour une utilisation dans un circuit de commutation et d'amplification d'un signal à haute fréquence
GT321 pour une utilisation dans les circuits de commutation
KT321 pour une utilisation dans les amplificateurs pulsés et dispositifs de commutation
GT322 Transistors normalisées facteur de bruit destiné à être utilisé dans le circuit d'amplification de fréquence intermédiaire et élevé
KT324 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
KT325 à renforcer les signaux à haute fréquence
KT326 destiné à être utilisé dans le circuit d'amplification de haute fréquence et ultra-élevé
GT328 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 180 МГц (7 дб) предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления
GT329 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты и СВЧ
GT330 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для усиления и генерирования электрических сигналов
KT331 et générant un gain pour le signal à haute fréquence
KT332 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для усиления и генерирования сигналов высокой частоты
KT333 pour une utilisation dans les circuits de commutation et de légumineuses
GT335 pour une utilisation dans les circuits de commutation
KT336 pour une utilisation dans les circuits de commutation et de légumineuses
KT337 для работы в переключающих, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
GT338 transistors pour utilisation sur le avalanche
KT339 pour une utilisation dans les circuits d'amplification à haute fréquence
KT340 для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
GT341 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц для усиления СВЧ сигналов
KT342 et la génération d'un gain pour des signaux dans une large gamme de fréquences
KT343 для работы в переключающих, импульсных и усилительных схемах высокой и низкой частот, генераторах низкой и высокой частоты
KT345 для работы в переключающих, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
GT346 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 800 МГц (8 дб) предназначены для усиления сигналов в дециметровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления
KT347 для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
KT348 для работы в переключательных, импульсных, усилительных и генераторных схемах низкой и высокой частоты
KT349 для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах
KT350 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
KT351 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
KT352 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
KT354 conçu pour amplifier les signaux de haute fréquence et ultra-haute
KT355 et la génération d'un gain pour des signaux dans une large gamme de fréquences
KT357 pour la commutation et d'amplification de signaux à haute fréquence
KT358 pour les circuits d'amplification et d'oscillateur
KT359 транзисторы с нормированным уровнем шума (6 дб) на частоте 20 МГц для применения в усилителях
KT360 transistors de commutation pour une utilisation dans des dispositifs de commutation et d'amplification
KT361 pour une utilisation en amplificateur à haute fréquence
GT362 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц (4.5 дб для ГТ362А и 5.5 дб для ГТ362Б) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT363 pour la commutation et amplifier des signaux de haute fréquence et ultra-haute
KT364 pour une utilisation dans les circuits de commutation
KT366 для применения в импульсных, переключательных и усилительных сверхвысокочастотных схемах
KT368 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 60 МГц (3.3 дб для КТ368А) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
KT369-9 transistors de commutation
KT370-9 pour la commutation et amplifier des signaux de haute fréquence et ultra-haute
KT371 pour améliorer les signaux micro-ondes
KT372 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц (3.5 дб для КТ372А и 5.5 дб для КТ372Б,В) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT373 un circuit de commutation et un gain à haute fréquence
1Т374 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц (4.5 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT375 un circuit de commutation et un gain à haute fréquence
GT376 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 180 МГц д(3.5 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
KT377 pour une utilisation dans les cascades d'impulsions
KT378 pour une utilisation dans les cascades d'impulsions
KT379 un circuit de commutation et un gain à haute fréquence
KT380 un circuit de commutation et un gain à haute fréquence
KT381 paire assortie de transistors
KT382 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц (3 дб для КТ382А и 4.5 дб для КТ382Б) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот
GT383 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT384 pour l'impulsion et la commutation de la nanoseconde étape
2Т385-9 pour fonctionner dans nanoseconde pulsé ou circuits de commutation
1Т386 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 180 МГц (4 дб) для применения в усилителях высокой частоты, смесителях, гетеродинах, в том числе для схем с автоматической регулировкой усиления
GT387 générer transistors pour amplifier et générer des signaux micro-ondes
2Т388 для работы в импульсных, переключающих и усилительных высокочастотных схемах
2Т389 для работы в импульсных, переключающих и усилительных высокочастотных схемах
KT391-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 3,6 ГГц (4.5 дб для КТ391А, 5.5 дб для КТ391Б, 6.0 дб для КТ391В) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT392 à renforcer les signaux à haute fréquence
KTS393-9 транзисторная сборка предназначенная для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях, и других каскадах
KTS394 транзисторная сборка предназначенная для применения в балансных, дифференциальных и операционных усилителях, переключающих и других каскадах
KTS395 транзисторная сборка предназначенная для применения в балансных, дифференциальных и операционных усилителях, переключающих, импульсных и других каскадах
KT396-9 pour améliorer les signaux micro-ondes
KT397 à renforcer les signaux à haute fréquence
KTS398-94 транзисторная сборка предназначенная для применения в балансных, дифференциальных и операционных усилителях, и других каскадах
KT399 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц (2 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот
KT3101 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2,25 ГГц (4.5 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT3102 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц (10 дб для КТ3102А-Г и 4 дб для КТ3102Д-Е) для работы в усилительных и генераторных схемах высокой частоты, допускается работа в инверсном режиме
KTS3103 транзисторная пара p-n-p для работы в дифференциальных каскадах с коэффициентом шума 5 дб на частоте 60 МГц
KT3104 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 60 МГц (8 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
KT3106-9 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 120 МГц (2 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты
KT3107 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц (10 дб для КТ3107А-Д, И, К и 4 дб для КТ3107Е, Ж, Л) предназначены для усиления, генерирования и переключения сигналов низкой и высокой частот
KT3108 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 100 МГц (6 дб), предназначены для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты
KT3109 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 800 МГц (6 дб для КТ3109А, 7 дб для КТ3109Б, 8 дб для КТ3109В) для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн и в другой приемно-усилительной аппаратуре
1Т3110 générer transistor pour amplifier et générer des signaux micro-ondes
2ТС3111 транзисторная сборка для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и фазовых детекторах
KT3114 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц для применения в усилителях СВЧ
2Т3115-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 5 ГГц (5 дб для КТ3115А, 4.6 дб для КТ3115В, 6 дб для КТ3115Г) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT3117 transistors de commutation à haute fréquence
KT3120 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 400 МГц (2 дб) для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ
KT3121 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц (2 дб) для применения во входных каскадах усилителей СВЧ
KT3122 transistors pour le fonctionnement de la ventilation du avalanche de générer des impulsions avec nanoseconde
KT3123 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц (3 дб для КТ3123А,В и 4 дб для КТ3123Б) для применения в усилительных, импульсных и ключевых режимах в схемах усилителей и автогенераторов СВЧ-сигналов
2Т3124-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 4-6 ГГц (5 дб) для применения в СВЧ малошумящих усилителях
KT3126 для генерирования, усиления и преобразования колебаний высокой частоты
KT3127 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 100 МГц (5 дб) для применения в схемах генерирования, усиления, преобразования колебаний высокой частоты в каскадах с АРУ
KT3128 pour une utilisation dans un tuner TV avec contrôle automatique de gain
2Т3129-9 для применения в низкочастотных и высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах и импульсных устройствах
KT3130-9 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 1 КГц (4 дб для КТ3130Ж9), для применения во входных каскадах малошумящих усилителей а также в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения
KT3132-2 транзисторы с нормированным уровнем шума на частоте 2-6 ГГц для применения в СВЧ малошумящих усилителях в диапазоне частот 1-7.2 ГГц
2ТС3136-1 paire différentielle de transistors pnp de
2Т3141-2 pour les appareils à micro-ondes à faible bruit
KT3142 для усилительных, преобразовательных и генераторных устройств
2Т3150-2 pour une utilisation dans l'amplificateur à haute fréquence
2Т3154-1 d'amplification et de dispositifs de commutation
2Т3155-С1 pour des dispositifs d'amplification
2Т3156-2 pour des dispositifs d'amplification
KT3157 des transistors de commutation des circuits d'impulsion
2Т3158-2 для импульсных схем
2Т3160-2 для импульсных схем
2Т3161-С сборка транзисторов pnp/npn для работы в коммутационных цепях автоматических телефонных станций и в усилительных каскадах высокой частоты
2Т3162 для применения в усилительных и переключающих устройствах ВЧ и СВЧ диапазонов
2Т3164 для импульсных схем и усилительных устройств
КТ3165 для применения в селекторах телевизионных каналов в качестве преобразователя частоты, гетеродина и усилительного элемента
КТ3168-9 малошумящий транзистор (3дб на частоте 1 ГГц)
КТ3169-9
КТ3169-91
малошумящий транзистор для селекторов каналов телевизионных приемников
КТ3170-9 для применения в бытовой видеотехнике и в выходных каскадах УПЧ телевизоров
КТ3172-9 для работы в бытовой видеотехнике
КТ3174-С2 для применения в широкополосных дифференциальных усилителях, сумматорах, компараторах, смесителях, балансных усилителях

administrateur

Laisser un commentaire

Your email address will not be published. Required fields are marked *