На рис.1 показана схема усилителя класса АВ, которую разработал Д. Тинг (Тайвань). Двухканальный инвертирующий усилитель обеспечивает максимальное усиление до 1000 В в диапазоне частот от 0 до 20 кГц. На частотах выше 20 кГц коэффициент усиления усилителя уменьшается. Отношение сопротивлений резисторов R2 и R1 определяет коэффициент усиления устройства.
Позитивный и негативный каналы усилителя построены с использованием фотодиодных оптоизоляторов IC2 и IC3 типа 6N136 и поэтому не имеют гальванической связи вход-выход. Транзисторы Q1 -Q4 повышают выходное напряжение и ток оптоизоляторов. Позитивный и негативный канал работают в противофазе.
Напряжение питания ± 15 В и резисторы R4 и R5 обеспечивают необходимое смещение, чтобы гарантировать, что выходные транзисторы всегда будут открыты.
Точной подстройкой номиналов резисторов R4 и R5 убирают выходные перекрестные искажения.
Стабилитроны D1 и D2 поддерживают обратное смещение фотодиодов опго-изолятора на уровне 6,2 В.
Резисторы R10-R13 обеспечивают отрицательную обратную связь вокруг выходных транзисторов. Транзисторы MOS-FET STW8N80 должны быть установлены на радиаторы.
Устройство не требует никакой активной защиты от короткого замыкания.
Позитивный и негативный каналы усилителя построены с использованием фотодиодных оптоизоляторов IC2 и IC3 типа 6N136 и поэтому не имеют гальванической связи вход-выход. Транзисторы Q1 -Q4 повышают выходное напряжение и ток оптоизоляторов. Позитивный и негативный канал работают в противофазе.Напряжение питания ± 15 В и резисторы R4 и R5 обеспечивают необходимое смещение, чтобы гарантировать, что выходные транзисторы всегда будут открыты.
Точной подстройкой номиналов резисторов R4 и R5 убирают выходные перекрестные искажения.
Стабилитроны D1 и D2 поддерживают обратное смещение фотодиодов опго-изолятора на уровне 6,2 В.
Резисторы R10-R13 обеспечивают отрицательную обратную связь вокруг выходных транзисторов. Транзисторы MOS-FET STW8N80 должны быть установлены на радиаторы.
Устройство не требует никакой активной защиты от короткого замыкания.
На рис.2 показаны осциллограммы входного меандра 10 В с частотой 10 кГц и выходного сигнала усилителя 1 кВ.
На рис.3 показаны осциллограммы входного синусоидального сигнала размахом 10 В с частотой 20 кГц и выходной инверсный чистый гармонический сигнал амплитудой 1 кВ.
На рис.3 показаны осциллограммы входного синусоидального сигнала размахом 10 В с частотой 20 кГц и выходной инверсный чистый гармонический сигнал амплитудой 1 кВ.
Д. Тинг
