Сводный коллектив специалистов из дрезденского центра HZDR, Венского технологического университета и Университета Марии Кюри-Склодовской в Люблине (Польша) впервые в мире добился почти идеального внедрения полупроводниковых кристаллов арсенида индия в кремниевый нанопроводник. Этот новый метод изготовления гибридных нанопроводов открывает перспективы создания быстрых и многофункциональных блоков, интегрируемых в будущие микросхемы.
Результаты работы представлены в публикации в журнале Nano Research.
До сих пор интеграции полупроводников с чрезвычайно высокой мобильностью электронов в обычные материалы препятствовало возникновение множества дефектов из-за несовпадения кристаллических решеток.
Преодолеть это затруднение удалось используя ионно-лучевой синтез и тепловую обработку ксеноновыми лампами. Сначала ученые методом ионной имплантации вводили в нанопровод определенное количество атомов, а затем производили отжиг кремниевых проводов в жидкой фазе на протяжении всего 20 мс. Пленка оксида кремния сохраняла форму жидкого проводника пока из имплантированных атомов формировались практически бездефектные полупроводниковые монокристаллы, оконтуренные почти идеальным интерфейсом.
На следующем этапе ученые хотят внедрить в кремниевые нанопровода другие сложные полупроводники, а также оптимизировать размеры и распределение образующихся кристаллов.
