WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Исследователи сформировали на кремниевом чипе межсоединения с рекордной плотностью тока

Группа японских исследователей заявила о создании массива микро-межсоединений с минимальной шириной проводника 0,5 мкм, используя композитный материал из одностенных углеродных нанотрубок и меди. Главной отличительной особенностью разработки является плотность тока в 100 раз выше по сравнению с традиционными медными проводниками. При этом коэффициент термического расширения материала примерно такой же низкий, как и у кремния. Таким образом, даже протекание большого тока и соответственное резкое повышение температуры не вызовут сильных деформаций.

1 Команда исследователей состоит из сотрудников Ассоциации технологического исследования одностенных углеродных нанотрубок (TASC), Национального института передовой промышленной науки и технологии Японии (AIST) и Организации по разработке новой энергии и промышленной технологии (NEDO). Детальнее о своём открытии они расскажут в рамках конференции nano tech 2014, которая проходит в конце текущего месяца.

2Ещё в июле прошлого года TASC и AIST заявили об использовании композитного материала из углеродных нанотрубок и меди. Их материал характеризовался максимально допустимой плотностью тока 108А/см2. Но тогда исследователи ещё не разработали метод для формирования межсоединений в рамках полупроводникового производственного процесса. Теперь им удалось сформировать это микро-межсоединение на кремниевой микросхеме. Среди использованных технологий особо выделяется так называемый «метод супер роста», разработанный AIST. Вначале с помощью этой технологии формировался массив нанотрубок, после чего медь присоединялась методом гальванопокрытия.

Планы по коммерциализации своей разработки исследователи не уточнили.

3dnews.ru

administrateur

Laisser un commentaire

Your email address will not be published. Required fields are marked *