Полевые или униполярные транзисторы разделяются на две категории: с изолированным затвором и с управляющим переходом. Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в использовании проще биполярного. В системе транзистора с n-каналами носителями заряда есть электроны, движение которых обусловлено от источника с маленьким потенциалом к стоку с большим потенциалом, создавая электрический ток стока Iс. Посередине истока и затвора униполярного транзистора исходит обратное напряжение, которое закрывает p-n-переход, созданный p-областью затвора и n-частью канала.
Отсюда следует, что в полевом транзисторе с n-каналом вытекающих напряжений: Uзи≤0, Uси>0. Когда напряжение подается на p-n-переход среди канала и затвора (Рис.2,а) на рубеже канала создается равномерный слой, который обеднен носителями заряда, и который оснащен большим удельным сопротивлением.
Рис. 1. Схема и структура полевого транзистора
Рис. 2. Ширина канала в униполярном транзисторе
Это влияет на уменьшение проводящего канала. Если подать напряжение посередине стока и истока, то обедненный слой искажается, становится неравномерным (Рис. 2,б), так же уменьшаются такие свойства канала как проводимость и усечение.
Вольт-амперные характеристики показаны на рис.3. При неизменном напряжении Uзи определяют стоковые или выходные свойства полевого транзистора при зависимости тока стока Iс от Uси напряжения. На стартовом участке характеристик электроэнергия стока возрастает с увеличением Uси, далее осуществляется перекрытие канала, и прирост тока Iс останавливается.
Рис. 3 Вольт-амперные характеристики (ВАХ) полевого транзистора.
