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Биполярные транзисторы 2ТС641 – КТ680

Style B1-B2 / ik
/мА
Ft
MHz
Cк / Uк
pF / A
Se/Uэб
pF / A
Rб*Cк
psek
tp
SC
IKE/(I A/IB)
В/(мА/мА)
Ukʙ
AT
UкэR/R
I / Om
Ueb
AT
Cm/I KN
A / A
Ibm
A
Pк / Pт
W / W
Rpk
C/Вт
Per
2ТС641А 40-150/100 300 12/28 500 1.0(300/60) 60 50/1к 4 0.8/1.5 0.2 /5 NP/PN
2Т642А2
2Т642Б2
1000
1000
1/15
1/15
1.9/0
1.9/0
20
20
2
2
0.06/
0.06/
0.35/
0.23/
NPN
NPN
2Т643А2 4000 1.8/15 7/0 25 3 0.12/ 1.1/ 90 NPN
KT644A
KT644B
KT644V
KT644G
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100-300/150
40-120/150
100-300/150
200
200
200
200
8/10
8/10
8/10
8/10
50/0
50/0
50/0
50/0
180
180
180
180
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
60/
60/
60/
60/
5
5
5
5
0.6/1
0.6/1
0.6/1
0.6/1
0.2
0.2
0.2
0.2
1/
1/
1/
1/
10
10
10
10
PNP
PNP
PNP
PNP
KT645A
KT645B
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80- /150
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120
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0.05(10 / )
60
40
50/1к
40/1к
4
5
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0.3/
0.5/
0.5/
NPN
NPN
KT646A
KT646B
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300
200
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120
60
60
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0.25(200/ )
60
40
50/1к
40/1к
4
4
1.0/1.2
1.0/
1.0/
1.0/
NPN
NPN
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2Т648А2 1.5/10 18 2 0.06/ 0.42/ NPN
2Т649А2 3 30 2.5 0.2/0.3 0.1 /1.5 NPN
КТ650А 100-300/ 40 50 3 0.05/ 0.3/ NPN
2Т652А 25-100/500 200 12/10 110/0 100 0.65(500/50) 50 45/500 4 1/2 0.5/ NPN
2Т653А
2Т653Б
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80-250/150
50
50
20/10
20/10
80/0.5
80/0.5
0.5(150/15)
0.5(150/15)
130
130
130/3к
130/3к
7
7
1/2
1/2
0.2
0.2
0.8/5
0.8/5
25
25
NPN
NPN
2Т657А2
КТ657Б2
КТ657В2
/30
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35-70 /30
3000 0.9/15 1.9/0 12/1к
12/1к
12/1к
2
2
2
0.06/
0.06/
0.06/
0.375/
0.375/
0.375/
200
200
200
NPN
NPN
NPN
2Т658А
2Т658Б
2Т658В
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30- /50
20- /50
4000
4000
2000
2/10
2/10
2/10
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3/0.5
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10
20
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8/1к
15/1к
3
3
3
0.075/0.15
0.075/0.15
0.075/0.15
/0.6
/0.6
/0.6
PNP
PNP
PNP
КТ659А 35- /300 300 10/10 10/ 0.9(1А/100) 60 50/ 6 1.2/ 1/ 155c NPN
KT660A
KT660B
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200-450/2
200
200
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10/10
0.05(10 /1)
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50
35
45/1к
30/1к
5
5
0.8/1
0.8/1
0.5/
0.5/
NPN
NPN
КТ661А 100-300/150 200 8/10 0.4(150/15) 60 60/ 5 0.3/0.6 0.4/1.8 97 PNP
КТ662А 100-300/150 300 8/10 0.4(150/15) 60 60/ 5 0.4/ 0.6/ 290c PNP
2Т663А
2Т663Б
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20-80 /50
300
300
12/10
12/10
0.5(150/15)
0.5(150/15)
25/
50/
3
3
0.2/1
0.2/1
0.1
0.1
0.4/
0.4/
КТ664А9
КТ664Б9
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40-250/150
50
50
25/5
25/5
150/0.5
150/0.5
100
100
0.3(150/15)
0.3(150/15)
120
100
100/1
80/1
5
5
1/1.5
1/1.5
0.3
0.3
0.3/1
0.3/1
125
125
PNP
PNP
КТ665А9
КТ665Б9
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40-250/150
50
50
25/5
25/5
150/0.5
150/0.5
100
100
0.3(150/15)
0.3(150/15)
120
100
100/1
80/1
5
5
1/1.5
1/1.5
0.3
0.3
0.3/1
0.3/1
125
125
NPN
NPN
КТ666А9 50- / 60 0.8( 10/ ) 300 300/ 5 0.02/ 0.8 PNP
КТ667А9 25- / 60 0.8( 10/ ) 300/ 0.02/ 0.8 NPN
KT668A
KT668B
KT668V
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125-250/2
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200
200
200
7/10
7/10
7/10
0.3(10/0.5)
0.3(10/0.5)
0.3(10/0.5)
50
50
50
45/
45/
45/
5
5
5
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.05
0.05
0.05
0.5/
0.5/
0.5/
250c
250c
250c
PNP
PNP
PNP
2Т669А
2Т669А1
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200
200
15/10
15/10
50/0
40/0
100
100
1(400/80)
1( 70/15)
50
50
50/
50/
4
4
0.4/0.8
0.3/0.6
0.5/
0.5/
200
200
2Т670АС 40-200/200 200 15/10 50/0 100 1(400/80) 50 50/0 4 0.4/0.8 0.8/
2Т671А2 >2000 1.5/5 7/ 15 1.5 0.15/0.15 /1.3 130 NPN
2Т672А2 30-120/500 200 12/10 110/0 100 0.6(500/50 50 4 1/2 1
КТ674АС 75-160/10 250 4.4/5 5.6/0.5 0.25(10/1 ) 40 5 0.2/ 0.9/ 140c
КТ678АС 75- /10 250 4/5 8/0.5 0.2( 10/1 ) 60 6 0.2/0.75 0.9/ 170c
2Т679А2
2Т679Б2
20-80/500
20-80/500
300
300
30/10
30/10
60
60
0.8(500/50)
0.8(500/50)
50
25
50/
25/
3
3
0.5/1
0.5/1
1
1
КТ680А 85-300/500 120 0.5(1А/100) 30 25/ 5 0.6/2 0.1 0.35/ 286c NPN

Symbols of the electrical parameters of bipolar transistors

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