WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Исследователи сформировали на кремниевом чипе межсоединения с рекордной плотностью тока

Группа японских исследователей заявила о создании массива микро-межсоединений с минимальной шириной проводника 0,5 мкм, используя композитный материал из одностенных углеродных нанотрубок и меди. Главной отличительной особенностью разработки является плотность тока в 100 раз выше по сравнению с традиционными медными проводниками. При этом коэффициент термического расширения материала примерно такой же низкий, как и у кремния. Таким образом, даже протекание большого тока и соответственное резкое повышение температуры не вызовут сильных деформаций.

1 Команда исследователей состоит из сотрудников Ассоциации технологического исследования одностенных углеродных нанотрубок (TASC), Национального института передовой промышленной науки и технологии Японии (AIST) и Организации по разработке новой энергии и промышленной технологии (NEDO). Детальнее о своём открытии они расскажут в рамках конференции nano tech 2014, которая проходит в конце текущего месяца.

2Ещё в июле прошлого года TASC и AIST заявили об использовании композитного материала из углеродных нанотрубок и меди. Их материал характеризовался максимально допустимой плотностью тока 108А/см2. Но тогда исследователи ещё не разработали метод для формирования межсоединений в рамках полупроводникового производственного процесса. Теперь им удалось сформировать это микро-межсоединение на кремниевой микросхеме. Среди использованных технологий особо выделяется так называемый «метод супер роста», разработанный AIST. Вначале с помощью этой технологии формировался массив нанотрубок, после чего медь присоединялась методом гальванопокрытия.

Планы по коммерциализации своей разработки исследователи не уточнили.

3dnews.ru

admin

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *