WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Транзистору исполнилось 65 лет

В прошедшее воскресенье, 16 декабря 2012 года, транзистору, электронному прибору, который является основным элементов почти всей современной электроники, исполнилось 65 лет. Первый в мире транзистор был создан Уильямом Шокли (William Shockley), Джоном Бардином (John Bardeen) и Уолтером Браттейном (Walter Brattain), которые в 1956 году за это изобретение получили Нобелевскую премию в области физики. Эксперимент, в котором был задействован первый биполярный транзистор, имевший в то время название иотатрон (iotatron), был проведен 16 декабря 1947 года и ознаменовал собой начало новой эры в области радиоэлектроники.

Автором названия “транзистор” является Джон Р Пирс (John R Pierce), служащий Bell Labs, который добавил и это названию к длинному списку названий-кандидатов для нового электронного прибора. И окончательный выбор названия был сделан в мае месяце 1948 года. “Название “транзистор” (transistor) является сокращением от последовательности терминов “transconductance” или “transfer” и “varistor”” – говорилось в бюллетене Bell Labs, посвященному новому электронному прибору.

Команда Шокли, Бардина и Браттейна начала работу над полупроводниковыми приборами в конце 1930-х годов, но реальная работа не начиналась до конца Второй Мировой Войны. Изначально Шокли предложил реализовать транзистор на основе полевого эффекта, полевой транзистор, изготовленный из тонких пластин различных полупроводниковых материалов, включая и кремний, сжатых в один пакет, но ученым не удалось в то время заставить работать такую конструкцию таким образом, каким она должна была работать согласно математическим расчетам. Поэтому Бардин и Браттейн разработали более простую конструкцию транзистора, конструкцию контактного биполярного транзистора.

В конструкции первого транзистора использовались две точки контакта золотой фольги к части из германия, установленной на металлическом основании. Тонкие листы золота удерживались с помощью подпружиненной клиновидной конструкции, которая обеспечивала надежный контакт золота с германием. Стоит заметить, что именно эта клиновидная структура стала впоследствии схематическим изображением биполярного транзистора, которое используется при рисовании электрических принципиальных схем. Ученым удалось “оживить” первый биполярный транзистор и на его основе создать схему, способную усиливать звуковые сигналы.

Широкой общественности об открытии нового электронного прибора, транзистора, было объявлено 1 июля 1948 года. К этому моменту Bell Labs уже имела производство, выпускавшее мелкие партии контактных транзисторов. В то время Уильям Шокли уже разработал альтернативную конструкцию транзистора, плоскостного биполярного транзистора, первый образец которого был изготовлен и проверен в январе 1948 года. Плоскостной транзистор имел более компактные размеры и был более технологичным в производстве, нежели контактный транзистор.

Первый плоскостной биполярный транзистор стал предшественником всех транзисторов, которые повсеместно используются в электронике. Даже Вы, читая эти строки, пользуетесь работой транзисторов микропроцессора Вашего компьютера и других его микросхем. В 1959 году Джоном Аталлой (John Atalla) и Дооном Кэнгом (Dawon Kahng) из Bell Labs была разработана технология MOS-транзисторов, которая явилась предшественницей технологии CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), технологии изготовления полупроводников, используемой по сегодняшний день.

Admin

Hinterlasse eine Antwort

Your email address will not be published. Required fields are marked *