В прошедшее воскресенье, 16 декабря 2012 года, транзистору, электронному прибору, который является основным элементов почти всей современной электроники, исполнилось 65 лет. Первый в мире транзистор был создан Уильямом Шокли (William Shockley), Джоном Бардином (John Bardeen) и Уолтером Браттейном (Walter Brattain), которые в 1956 году за это изобретение получили Нобелевскую премию в области физики. Эксперимент, в котором был задействован первый биполярный транзистор, имевший в то время название иотатрон (iotatron), был проведен 16 декабря 1947 года и ознаменовал собой начало новой эры в области радиоэлектроники.
Автором названия “транзистор” является Джон Р Пирс (John R Pierce), служащий Bell Labs, который добавил и это названию к длинному списку названий-кандидатов для нового электронного прибора. И окончательный выбор названия был сделан в мае месяце 1948 года. “Название “транзистор” (transistor) является сокращением от последовательности терминов “transconductance” или “transfer” и “varistor”” – говорилось в бюллетене Bell Labs, посвященному новому электронному прибору.
В конструкции первого транзистора использовались две точки контакта золотой фольги к части из германия, установленной на металлическом основании. Тонкие листы золота удерживались с помощью подпружиненной клиновидной конструкции, которая обеспечивала надежный контакт золота с германием. Стоит заметить, что именно эта клиновидная структура стала впоследствии схематическим изображением биполярного транзистора, которое используется при рисовании электрических принципиальных схем. Ученым удалось “оживить” первый биполярный транзистор и на его основе создать схему, способную усиливать звуковые сигналы.
Первый плоскостной биполярный транзистор стал предшественником всех транзисторов, которые повсеместно используются в электронике. Даже Вы, читая эти строки, пользуетесь работой транзисторов микропроцессора Вашего компьютера и других его микросхем. В 1959 году Джоном Аталлой (John Atalla) и Дооном Кэнгом (Dawon Kahng) из Bell Labs была разработана технология MOS-транзисторов, которая явилась предшественницей технологии CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), технологии изготовления полупроводников, используемой по сегодняшний день.