У радіоаматорський практиці часто виникає потреба у визначенні фізичних параметрів напівпровідникових елементів або їх цокольовка. Як правило, з таким завданням не справляються звичайні мультиметри, а шукати характеристики радіоелементів в довідниках забирає багато часу і відволікає майстра в процесі роботи. Саме тому для електронника професіонала або радіоаматора дуже корисним було б пристрій яке швидко допоможе визначити параметри біполярного або польового транзистора, тиристора, симістора, діода, діодного складання, опір резистора або ємність конденсатора .
Вашій увазі представляю досить просту схему (Рис.1) тестера радіоелементів, зібраного на мікроконтролері ATMega8 (IC2). Вимірювання проводиться через три контакти Х1, Х2, Х3, і виводиться на стандартний рідкокристалічний дисплей на шістнадцять знаків у два рядки. Важливо щоб в дисплей був побудований на HD44780 спільному контролері. За допомогою резисторів R9 -14 створено кілька рівнів напруги і струму, і, отже, значення вимірюється по трьох входах внутрішнього аналого-цифрового перетворювача мікроконтролера.
Рис.1. Принципова схема тестера напівпровідникових елементів на мікроконтролері ATMega8
Мікроконтролер і дисплей живляться напругою +5В через інтегральний стабілізатор 7805L, який включається через транзистор VT1. При натисканні клавіші S1 проводиться замір елемента.
Інформація по різним типам елементів, що виводиться на дисплей, наведена нижче у таблиці:
| Типи перевіряються елементів | Інформація на дисплеї |
|---|---|
| N-P-N транзистори | “NPN” (1, 2, 3 выводы) hFE-коэфф ус. Uf [mV] – прямое напряжение |
| P-N-P транзистори | “PNP” (1, 2, 3 выводы) hFE-коэфф.ус. Uf [mV] – прямое напряжение |
| N-канальні-збагачені MOSFET | “N-E-MOS” Vt [mV]-напряжение открыванияC= [nF]- емкость затвора. |
| P-канальні-збагачені MOSFET | “P-E-MOS” |
| N-канальні-збіднені MOSFET | “N-D-MOS” |
| P-канальні-збіднені MOSFET | “P-D-MOS” |
| N-канальні JFET | “N-JFET” |
| P-канальні JFET | “P-JFET” |
| Tiristorи | “Tyrystor” |
| Сімістори | “Triak” |
| Діоди | “Diode” |
| Двухкатодные складання діодів | “Double diode CK” |
| Двуханодные складання діодів | “Double diode CA” |
| Два послідовно сполучених діода | “2 diode series” |
| Діоди симетричні | “Diode symmetric” |
| Резисторы – диапазон от 0,5 К до 500К [K] | Прилад не дає високої точності |
| Конденсаторы – диапазот 0,2nF до 1000uF [nF,uF] | Прилад не дає високої точності |
Список необхідних радіоелементів для конструювання даного проекту:
R9, R11, R13 - 680R
R10, R12, R14 - 470k
R6, R8 - 27k
R7 - 100k
R5 - 33K
R1, R3 - 10K
R2 - 3K3
R4 6K8
C1, C2, C3 - 100n
VT2, VT3 - КТ3102
VT1 - КТ3107
IC1 - 7805L
IC2 - ATMEGA8-16PU
LCD - MC1602E (HD44780 совместимый) Для прошивки микроконтроллера через программу CVAVR, настраиваем fuse-биты так, как показано на Рис.2.Рис.2. Fuse-біти для програмування мікроконтролера ATMega8 Ниже на фото представлены примеры измерения параметров радиоэлементов (Рис.3, Рис.4., Рис.5.)
Рис.3. Вимірювання параметрів транзистора
Рис.4. Вимірювання параметрів світлодіода
Рис.5. Вимірювання параметрів неполярного конденсатора
Архив к проекту: [hidepost] Прошивки мікроконтролера [/hidepost]
WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1626) ORDER BY umeta_id ASC