WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC
Большинство полупроводниковых приборов созданы на переходах или слоях (n-p, p-n). Полупроводниковый диод имеет один переход (p-n) и два слоя. У транзистора два перехода и три слоя (n-p-n, p-n-p). А если добавить ещё один слой, то получается четырёхслойный полупроводниковый прибор –… Continue Reading
Изучение тиристоров можно начать с прибора, называемого динистором, также известного как четырёхслойный диод (со структурой PNPN), или диод Шокли, по имени его изобретателя Уильяма Шокли (не путать с диодом Шотки, двухслойным прибором металл-полупроводник, известным своей высокой скоростью переключения). Упрощённой иллюстрацией… Continue Reading
Тиристор – это полупроводниковый прибор, с тремя и более p-n-переходами, на ВАХ которого имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (рис. 6.1).Тиристор представляет собой электронный ключ, который может находиться в двух состояниях: открытом и закрытом. По количеству выводов различают диодный тиристор,… Continue Reading
Рассмотрим простейший усилительный каскад на полевом транзисторе, включенном по схеме ОИ, принципиальная схема которого приведена на рис. 5.16. В качестве активного элемента каскад содержит n-канальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. К входу каскада подключается источник входного сигнала (генератор с эдс… Continue Reading
Упрощенная структура МЕП-транзистора или транзистора с металлополупроводниковым затвором (затвором Шоттки) приведена на рис. 5.15. Транзистор создается на подложке из арсенида галлия (GaAs). Тонкий токопроводящий канал здесь создается технологическим путем. Затвор из сплава титана и вольфрама наносится непосредственно на поверхность канала.… Continue Reading