Forward and reverse switch pn junction

Если на p-n-переход подать внешнее напряжение u, то равновесие ме­жду диффузионными и дрейфовыми потоками в переходе нарушится и че­рез всю структуру будет протекать ток I = J_Default – J_ln.

Будем считать, что практически всё внешнее напряжение падает на
pn-junction and contact potential changes accordingly to the value of φ_k–u; где u>0 соответствует подаче прямого напряже­ния на p-n-переход, а u<0 – подаче обратного напряжения (рис. 2.2, (a), d).

При изменении высоты потенциального барьера под действием внеш­него напряжения равновесие диффузионного и дрейфового токов в пере­ходе нарушается. При прямом напряжении (u > 0) уменьшение потенциаль­ного барьера приводит к преобладанию диффузионного потока электронов из эмиттера в базу над дрейфовым потоком электронов из базы в эмиттер.

As a result, electrons are injected into the base and the electron density at the boundary x_p increases considerably exceeds the equilibrium concentration in the base n_p. Таким образом, инжекция электронов в базу при­водит к появлению неравновесных носителей в базе Δn(х_p) = n(x_p) – n_p. Вследствие возникшего градиента концентрации в базе начинается про­цесс диффузии электронов от границы перехода x_p в глубину p-базы. По мере движения неравновесная концентрация уменьшается за счет реком­би­на­ции.

Необходимо заметить, что при инжекции электронов электронейтраль­ность базы нарушается и ее восстановление происходит за счет прихода «недостающих» положительных зарядов (дырок) из внешнего контакта базы. Поэтому распределение избыточных концентраций электронов и дырок в базе одинаково, так что в любом сечении сохраняется квазинейт­раль­ность Δn(х) = Δp(x) (на рис. 2.2, In the, l показаны только распределения элек­тро­нов).

Таким образом, три процесса определяют распределение неравновес­ной концентрации в базе p-n-перехода при прямом напряжении:

– injection – вызывает увеличение граничной концентрации n(x_p), т. е. приводит к появлению неравновесных носителей заряда в базе;

– diffusion – является причиной движения электронов через базу;

– recombination – приводит к уменьшению неравновесной концентрации в базе вдали от p-n-перехода.

При обратном напряжении и < 0 на p-n-переходе потенциальный барьер для электронов увеличивается до величины φ_k+|u| ; p-n-переход расширя­ется \(\delta =\sqrt{\frac{2\varepsilon \varepsilon _{0}}{q}(\varphi _{k}+|u|)\frac{1}{n_{n}}}\) . При этом электроны вытягиваются из базы. Процесс вытягивания электронов из базы обратно смещенным
p-n-перехо­дом называется экстракцией.

Три процесса определяют обратный ток p-n-перехода:

– экстракция электронов из базы, вызывающая уменьшение n(х_p) и возник­новение Δn(х);

- Diffusion of electrons from the bottom of the base to the border go x_p;

– генерация пар электрон – дырка в областях, где n(х) < n_p.

Процесс генерации приводит к нарушению электронейтральности базы, так как генерированные электроны удаляются из базы путем экстракции. Восстановление электронейтральности базы происходит за счёт ухода «лишних» дырок через внешний контакт. Так же как и при прямом напря­жении Δn(х) =Δp (x) в любом сечении базы. Распределение концентрации электронов при прямом и обратном напряжении приведено на рис. 2.2, In the, l.

Итак, нарушение равновесия между диффузионной и дрейфовой со­ставляющими электронного тока в обедненной области перехода под дей­ствием внешнего напряжения приводит к протеканию через всю структуру постоянного тока i. При этом природа тока в различных сечениях струк­туры не одинакова.

На рис. 2.2, g, m показаны составляющие полного тока в структуре пере­хода. В эмиттере и базе, за исключением областей, примыкающих непо­средственно к переходу, ток переносится основными носителями и явля­ется дрейфовым (I_{n ln} в эмиттере и I_{p рек} или I_{p ген} – в базе). В базовом слое толщиной порядка L_nраспределение токов определяется диффузией не­основных и дрейфом основных носителей.