WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Гибридные интегральные схемы

Гибридные интегральные схемы (ГИС) подразделяются на толстопленочные и тонкопленочные. Конструктивной основой толстопленочных ИС является керамическая подложка, на которую через сетку-трафарет последовательно наносят проводящие, резистивные и диэлектрические пасты с последующим вжиганием, создавая таким способом пленочные резисторы, конденсаторы и проводники. Толщина наносимых… Continue Reading

0

Що таке мікроелектроніка

Микроэлектроника – это область электроники, охватывающая проблемы исследования, разработки и применения микроэлектронных изделий, в состав которых входят элементы, имеющие микронные размеры, а их допуски составляют доли микрометра. Ведущее место среди микроэлектронных изделий занимают интегральные схемы, применение которых позволяет успешно решать… Continue Reading

0

Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия

В основе большинства полупроводниковых диодов и транзисторов ле­жит контакт двух полупроводников с различным типом электропроводнос­ти. Он может быть получен, например, путём диффузии донорной примеси в полупроводник p-типа. Идеализированная одномерная структура p-n-пе­рехода изображена на рис. 2.1, а. Рассмотрим физические процессы в… Continue Reading

0

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Электрическим переходом называют переходный слой в полупровод­ни­ко­вом материале между двумя областями с различными типами электро­про­вод­ности или разными значениями удельной электрической проводимости. Если одна из контактирующих областей – металл, а другая – полупро­водник, то такой электрический переход называют переходом Шоттки. Если… Continue Reading

0

Токи в полупроводниках

Электропроводность полупроводника обусловлена направленным пе­ремещением в нем носителей заряда – электронов и дырок. Различают электронную и дырочную электропроводности полупроводника. Направленное движение носителей может быть вызвано двумя незави­симыми друг от друга факторами – действием электрического поля и не­равномерным распределением носителей по… Continue Reading