0

Токи в полупроводниках

Электропроводность полупроводника обусловлена направленным пе­ремещением в нем носителей заряда – электронов и дырок. Различают электронную и дырочную электропроводности полупроводника. Направленное движение носителей может быть вызвано двумя незави­симыми друг от друга факторами – действием электрического поля и не­равномерным распределением носителей поПродовжити читання →

0

діркові напівпровідники

Дырочным полупроводником или полупроводником типа p (от латин­ского positive – положительный) називається напівпровідник, в кристалли­ческой решётке которого (Рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома можетПродовжити читання →

0

електронні напівпровідники

Електронним напівпровідником або напівпровідником типу n (від латинського negative - негативний) називається напівпровідник, в кристалічній решітці якого (Рис. 1.3) крім основних (чотирьохвалентного) атомів утримуються домішкові п'ятивалентні атоми, звані донорами. В такой кристаллической решетке четыре валентных электрона при­месного атома заняты вПродовжити читання →

0

власні напівпровідники

Собственные полупроводники имеют кристаллическую структуру, ха­рактеризующуюся периодическим расположением атомов в узлах про­странственной кристаллической решетки. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами ковалентными связями (Рис. 1.2.), в результате которых происходит обобществление валентных электронов и образование устойчивых электронныхПродовжити читання →

0

Общие сведения о полупроводниках

Твердые тела, существующие в природе делятся на аморфные и кри­сталлические. Большинство применяемых в настоящее время полупро­водников относятся к кристаллическим телам, атомы которых располо­жены в определенном порядке и образуют пространственную решетку. Почти все они обладают ковалентной связью, при которой взаимное при­тяжениеПродовжити читання →