Розглянемо найпростіший підсилювальний каскад на польовому транзисторі, включеному по схемі ОІ, принципова схема якого наведена на рис. 5.16. В якості активного елементу каскад містить n-канальний польовий транзистор з керуючим p-n-переходом. До входу каскаду підключається джерело вхідного сигналу (генератор з ЕРС… Продовжити читання →
Спрощена структура МЕП-транзистора або транзистора з металлополупроводніковим затвором (затвором Шотткі) приведена на рис. 5.15. Транзистор створюється на підкладці з арсеніду галію (GaAs). Тонкий струмопровідний канал тут створюється технологічним шляхом. Затвор зі сплаву титану і вольфраму наноситься безпосередньо на поверхню каналу.… Продовжити читання →
У постійних запам'ятовуючих пристроях (ПЗУ) використовується спеціальні типи МДП-структур, здатні протягом тривалого часу зберігати двійкову інформацію. Найбільшого поширення набули структури з плаваючим затвором, в яких між основним (керуючим) затвором і підкладкою розташований додатковий затвором і підкладкою розташований додатковий затвор,… Продовжити читання →
Польовий транзистор з p-n-переходом має два недоліки: через висновок затвора протікає, хоча і не великий, але відмінний від нуля струм закритого p-n-переходу. Щоб уникнути відкривання p-n-переходу напруга на затворі може бути тільки однією певною полярності - негативною для n-каналу і… Продовжити читання →
Як наголошувалося на раніше, для малого сигналу польового транзистора представляється лінійним трехполюсніком. Еквівалентна схема його показана на рис. 5.5. На ній зображені три електрода транзистора - стік, Схід і запор. Той факт, що струм в ланцюзі стік - витік залежить від… Продовжити читання →