Основная область применения стабилитронов – параметрические стабилизаторы напряжения. Схема такого стабилизатора изображена на рис. 3.5.
На навантаженні RN напряжение равно напряжению на стабилитроны. Так как в режиме пробоя напряжение на стабилитроне почти постоянно и равно напряжению стабилизации, то таким оно будет и на нагрузке. Входное напряжение U1 должно быть обязательно больше, чем Uст. Разность между U1 і U2 = Uст гаситься на баластному резисторі Rб
У1-U2=(Iст+IN)Rб або У1= U2+(Iст+IN)Rб (3.1)
При изменении входного напряжения изменяются падение напряжения на балластном резисторе, ток через этот резистор и, следовательно, ток через стабилитрон. Напряжение на нагрузке остается практически неизмененным.
Пределы изменения входного напряжения, при которых возможна стабилизация, определяются из (3.1):
У1min= U2+(Iстmin+IN)Rб (3.2)
У1max= U2+(Iстmax+IN)Rб . (3.3)
Снизу этот предел ограничен неустойчивостью пробоя при малых токах, сверху – допустимой мощностью, рассеиваемой стабилитроном.
Основными параметрами стабилитрона являются коэффициент стабилизации и выходное сопротивление. Коэффициент стабилизации в общем случае определяется как
Дост=(ΔU1/U1)/(? U2/U2). (3.4)
Имея в виду, что в режиме пробоя стабилитрон имеет динамическое сопротивление Rd , из схемы (рис. 3.5) находим
? U2Аі =1((Rd||RN)/(Rб+Rd||RN))
. (3.5)
Из (3.4) и (3.5) получаем
Дост=(U2/U1) ((Rб+Rd||RN)/(Rd||RN)) . (3.6)
Оскільки в практичних випадках Rd«РN і Rd«Рб, то
Дост≈(U2/U1) (Rб+Rd). (3.7)
По поводу соотношения (3.7) следует заметить, что увеличение Rб не приводить до істотного збільшення Дост, так как при заданном токе через стабилитрон одновременно необходимо увеличить У1 в соответствии с соотношением (3.1).
Если стабилизатор не обеспечивает требуемого коэффициента стабилизации, то его можно увеличить цепочечным включением двух или более стабилизаторов.
Выходное сопротивление стабилизатора можно определить как выходное сопротивление любого четырехполюсника: найти сопротивление относительно выходных зажимов при RN→ ∞ і ? U1=0 (при коротком замыкании на входе для малого сигнала).
Из рис. 3.5 видно, что
Rвих=Rd||Rб≈Rd. (3.8)
Недостатком параметрического стабилизатора является малый кпд из-за потерь мощности на балластном резисторе. Поэтому он применяется только в маломощных источниках стабильного напряжения.
Контрольні питання
1. Какую область полупроводникового диода называют базой?
2. Как и по каким причинам изменяется прямая ветвь ВАХ диода с увеличением его температуры?
3. Как влияют процессы генерации и рекомбинации носителей заряда на ВАХ диода?
4. Что такое p-i-n-диод?
5. Как зависит пробивное напряжение диодов при лавинном пробое от концентрации примесей в базе и от её удельного сопротивления?
6. Объяснить различия в ВАХ германиевых и кремниевых диодов.
7. В чём проявляется инерционность процесса переключения в диодах и как она уменьшается в импульсных диодах?
8. Назвать основные параметры стабилитрона.
9. Как зависит напряжения пробоя от температуры?
10. Изобразить схему параметрического стабилизатора напряжения и объяснить его работу.