WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Усилительные каскады и повторители

В АИС наибольшее распространение получили схемы с общим эмиттером (ОЭ) и непосредственными (гальваническими) связями между каскадами. Схемы с общей базой используются значительно реже (на СВЧ) и будут рассмотрены в специальных курсах. Простейший усилительный каскад с двумя источниками питания показан на… Continue Reading

0

Типовые элементы аналоговых интегральных схем

Составные транзисторы Составной транзистор – это комбинация двух (или нескольких) транзисторов, которую можно рассматривать как единое целое. Рис. 2.1 Наибольшее распространение среди составных транзисторов получила схема Дарлингтона (рис. 2.1) в которой используются транзисторы с одним типом проводимости (например, n–р–n). Главная… Continue Reading

0

Что такое аналоговые интегральные схемы

Аналоговые интегральные схемы (АИС) предназначены для преобразования аналоговых сигналов, мера которых отображает ин­формацию. Примерами аналоговых операций могут служить: усиление, сравнение, ограничение, перемножение. Использование аналоговых сигналов обеспечивает высокую скорость передачи информации и требует сравнительно небольшого числа электронных элементов. Вместе с тем… Continue Reading

0

Технология изготовления интегральных схем

Базовые технологические операции Производство интегральных схем состоит из ряда операций, выполняя которые постепенно из исходных материалов получают готовое изделие. Количество операций технологического процесса может достигать 200 и более, поэтому рассмотрим только базовые. Эпитаксия – это операция наращивания на подложке монокристаллического… Continue Reading

0

Элементы полупроводниковых интегральных схем

Полупроводниковые интегральные схемы – это интегральные схемы, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Конструктивной основой ИС является подложка из кремния р-типа или арсенида галлия толщиной 200–300 мкм. Элементы ИС формируются в изолированных от… Continue Reading