0

Etage amplificateur à transistor à effet de champ

Considérons l'étage d'amplificateur le plus simple sur un transistor à effet de champ, allumé selon le schéma OI, Le schéma de principe est illustré à la Fig.. 5.16. En tant qu'élément actif, la cascade contient un transistor à effet de champ à canal n avec une jonction p-n de commande. Une source d'entrée est connectée à l'entrée de la cascade (générateur emf… Continuer la lecture

0

Transistor à effet de champ Schottky

Structure simplifiée d'un transistor MEP ou d'un transistor à grille semi-conductrice (obturateur schottky) montré en photo. 5.15. Le transistor est créé sur un substrat d'arséniure de gallium (GaAs). Un canal conducteur mince est créé ici par des moyens technologiques.. Un obturateur en alliage de titane et de tungstène est appliqué directement sur la surface du canal.… Continuer la lecture

0

Полевой транзистор с плавающим затвором

В постоянных запоминающих устройствах (PZU) используется специ­альные типы МДП-структур, способные в течение длительного времени хранить двоичную информацию. Наибольшее распространение получили структуры с плавающим затвором, в которых между основным (управляю­щим) затвором и подложкой расположен дополнительный затвором и под­ложкой расположен дополнительный затвор,… Continuer la lecture

0

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевой транзистор с p-n-переходом имеет два недостатка: через вывод затвора протекает, хотя и не большой, но отличный от нуля ток за­крытого p-n-перехода. Во избежание открывания p-n-перехода напряжение на затворе мо­жет быть только одной определенной полярности – отрицательной для n-ка­на­ла иContinuer la lecture

0

Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала

Как отмечалась ранее, для малого сигнала полевого транзистора пред­ставляется линейным трехполюсником. Эквивалентная схема его показана на рис. 5.5. На ней изображены три электрода транзистора – сток, исток и затвор. Тот факт, что ток в цепи сток – исток зависит отContinuer la lecture