0

Très petit amplificateur de puissance

В этой конструкции используется микросхема SA58670полный интегрированный усилитель класса D. Производитель «упаковал» его в корпус 4×4 мм HVQFN20. Несомненными достоинствами усилителя являются небольшие габариты и высокая эффективность. Благодаря этому его можно легко использовать в портативных устройствах и устройствах с питанием от батареи. В стандартной комплектации система имеет два сбалансированных входа. Для совместной работы схемы с одиночными входами просто подключитесь к заземлению. Устройство особенно рекомендуется в качестве элемента портативных систем с батарейным питанием: радио, проигрыватели и т. ré.Spécifications de l'amplificateur

  • выходная мощность 2×2,1 W (2 X 4 ohm)
  • для работы в классе D,
  • работа симметричная или асимметричная,
  • возможно изменение коэффициента усиления: 2, 4, 8 ou 16 la / la
  • небольшие размеры источника питания схемы: 2,5 … 5 En tension constante

Описание работы усилителя

Схема усилителя приведена на рис. 1.

riz. 1

Система имеет сбалансированные входы. Если усилитель предназначен для работы с одиночными входами, terminaux, обозначенные буквой «n», должны быть заземлены. Элементы C1C4 являются конденсаторами связи, элементы L1L4 и C11C14 являются выходными фильтрами, защищающими от помех, а конденсаторы C5C10 фильтруют напряжение питания. Контакты G0 и G1 микросхемы SA58670 используются для установки усиления.

Есть четыре значения на выбор, установленные с соответствующими состояниями этих входов:

  • 2 V / V для G1 = “L” и G0 = “L”,
  • 4 V / V для G1 = “L” и G0 = “H”,
  • 8 V / V для G1 = “H” и G0 = “L” 16 la / В для G1 = “H” и G0 = “H”,

что соответствует 6, 12, 18, 24 dB.

В представленной схеме оба входа G1 и G0 подключены к земле, но если мы обрежем соответствующие пути, резисторы R1 и R2 создадут подключение этих входов к источнику питания. Путь G1 направляется в R1, а путь G0 направляется в R2. Динамики подключены к клеммам 1 et 3 в разъемах SP1 и sp2.

Installation et configuration

Сборка схемы начинается с пайки интегральной схемы, что непросто, но возможно в любительских условиях (riz. 2).

riz. 2

Начинайте с гальванизации контактных площадок для интегральной микросхемы, но обойдите центральную площадку. Делайте то же самое с выводами самой интегральной микросхемы. Затем установите микросхему на свое место на плате, держите пинцетом и паяльником с небольшим количеством олова на наконечнике, нужно припаять хотя бы один провод. Это может не получится сразу, затем поместите немного большую каплю олова на наконечник паяльника. Там также должен быть контакт. Когда прошли через этот этап, паяйте следующие провода. Для этого мы пропитываем оловом конец медной оплетки и слегка прижимаем паяльник к краю между интегральной микросхемой и платой. Затем проверьте с помощью лупы, нет ли коротких замыканий между контактами и все ли контакты спаяны. Только теперь можно паять оставшиеся компоненты. Если все сделано правильно, система заработает сразу.

riz. 3

Затем можете установить коэффициент усиления (riz. 3), и только после проверки паяйте поле под интегральной схемой. С другой стороны платы нанесите каплю олова на площадку для пайки и нагревайте ее до тех пор, пока олово не попадет во втулки. Микросхема не требует радиатора.

riz. 4

Laisser un commentaire

Votre adresse email ne sera pas publiée.