diodos

 

Diodos Rectificadores – dispositivos electrónicos con una unión p-n con conductividad unilateral y diseñados para convertir voltaje alterno en directo. La frecuencia del voltaje rectificado como regla no más 20 kHz. Los diodos Schottky también pertenecen a los diodos rectificadores..

Los parámetros principales de los diodos rectificadores de baja potencia a temperatura normal se dan en mesa 1 diodos rectificadores de potencia media en mesa 2 y diodos rectificadores de alta potencia en mesa 3

Una variedad de diodos rectificadores son diodos de avalancha. Estos dispositivos en la rama inversa del CVC tienen una característica de avalancha similar a los diodos zener. La presencia de una característica de avalancha les permite ser utilizados como elementos de protección del circuito contra sobretensiones., incluso directamente en el circuito rectificador En este último caso, los rectificadores en estos diodos funcionan de manera confiable bajo condiciones de sobretensiones de conmutación, surgiendo en circuitos inductivos en el momento de la inclusión, apagado de alimentación o carga. Los parámetros principales de los diodos de avalancha a temperatura ambiente normal se dan en mesa 4

Enderezar postes. Para rectificar voltajes superiores a varios kilovoltios, se han desarrollado polos rectificadores, que son una combinación de diodos rectificadores, conectado en serie y ensamblado en un diseño único con dos terminales. Estos dispositivos se caracterizan por los mismos parámetros., como diodos rectificadores. Los parámetros principales de las columnas rectificadoras a temperatura ambiente normal se dan en mesa 5. Para reducir las dimensiones generales de los rectificadores y la facilidad de instalación están disponibles bloques rectificadores (montaje), teniendo dos, cuatro o más diodos, no es eléctricamente independiente o está conectado en forma de puente y ensamblado en una carcasa. Los parámetros principales de los bloques rectificadores y conjuntos a temperatura ambiente normal se dan en mesa 6

Diodos de pulso difieren de los rectificadores por un corto tiempo de recuperación inversa, o corriente de impulso grande. Диоды этой группы могут быть использованы в выпрямителях на высокой частоте, por ejemplo, в качестве детектора или модуляторах, преобразователях, формирователях импульсов, limitadores y otros dispositivos de impulso ver tablas de referencia 7 y 8. Matrices y conjuntos de diodos diseñado para su uso en dispositivos lógicos resistivos de diodos multietapa, realizar operaciones Y, O, decodificadores funcionales de diodos, varios interruptores de corriente y otros dispositivos de impulso. Puede ver sus parámetros principales en mesa 9

Diodos de túnelactuar como elementos activos (accesorios, capaz de amplificar la señal de potencia) circuitos electrónicos amplificadores, generadores, interruptores de rangos predominantemente de microondas. Los diodos de túnel son rápidos, Dimensiones y peso generales pequeños, resistente a la radiación, trabajar de manera confiable en un amplio rango de temperatura, Los parámetros principales de túneles y diodos invertidos a temperaturas ambiente normales se dan en mesa 10

zener su principio de acción se basa en electricidad (avalancha o túnel) desglose de la unión pn, en el que hay un fuerte aumento en la corriente inversa, y el voltaje inverso cambia muy poco. Esta propiedad se usa para estabilizar el voltaje en los circuitos eléctricos.. Debido al hecho de que el colapso de avalancha es típico de los diodos, изготовленных на основе полупроводника с большой шириной запрещенной зоны, исходным материалом для стабилитронов служит кремний. Además, кремний обладает малым тепловым током и устойчивыми характеристиками в широком диапазоне температур. Для работы в стабилитронах используют пологий участок ВАХ обратного тока дисда, dentro de los cuales los cambios abruptos en la corriente inversa están acompañados por cambios muy pequeños en el voltaje inverso. estabilizadores baja potencia se dan en mesa 11, diodos zener y estabilizadores de alta potencia – en mesa 12, diodos zener de precisión – en mesa 13. Los parámetros de los limitadores de voltaje se dan en mesa 14

varicap — это полупроводниковые диоды с электрически управляемой барьерной емкостью перехода. Изменение емкости достигается изменением обратного напряжения. Как и в других диодах, сопротивление базы варикапа должно быть малым. Одновременно для увеличения значения пробивного напряжения желательно большое удельное сопротивление слоев базы, прилегающих к переходу. Исходя из этого основная часть базы — подложка — выполняется низкоомной, а слой базы, прилегающий к переходу, — высокоомным. Варикапы характеризуются следующими основными параметрами. Общая емкость варикапа СБ — это емкость, включающая барьерную емкость и емкость корпуса, t. es. capacidad, измеренная между выводами варикапа при заданном (номинальном) обратном напряжении.

diodo emisor de luz— это полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток непосредственно в световое излучение. Он состоит из одного или нескольких кристаллов, размещенных в корпусе с контактными выводами и оптической системы (линзы), формирующей световой поток. Длина волны излучения кристалла (цвет) зависит от Диоды излучающие ИК диапазона это такие же светодиоды только излучающие свет в ИК диапазоне

В таблицах по диодам применены следующие условные обозначения:

laобр.макс. максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода;
laобр.и.макс. максимально-допустимое импульсное обратное напряжение диода;
Meпр.макс. максимальный средний прямой ток за период;
Meпр.и.макс. максимальный импульсный прямой ток за период;
Meпрг. ток перегрузки выпрямительного диода;
FMax. максимально-допустимая частота переключения диода;
Fesclavo. рабочая частота переключения диода;
laetc. при Ietc. постоянное прямое напряжения диода при токе Ietc.;
Mearr. постоянный обратный ток диода;
Tк.макс. максимально-допустимая температура корпуса диода.
Tп.макс. максимально-допустимая температура перехода диода.

 

Полупроводниковыми диодами называют однопереходные (с одним электрическим переходом) электропреобразовательные приборы с двумя внешними токоотводами. В качестве электрического .перехода может служить электронно-дырочный переход, контакт металл — полупроводник или гетеропереход. На рисунке схематически показано устройство диода с электронно-дырочным переходом 1, разделяющим р-м п-области (2 y 3) с различным типом электропроводимости.

Устройство и принцип работы диода

Cristal 3 снабжают внешними токоотводами 4 и помещают в металлический, стеклянный, керамический или пластмассовый корпус 5, защищающий полупроводник от внешних воздействий (атмосферных, механических и т. d.). Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные электронно-дырочные переходы. Одна область полупроводника (с более высокой концентрацией примесей) служит эмиттером, y el otro (с более низкой концентрацией)—базой. При прямом подключении внешнего напряжения к диоду инжекция неосновных носителей заряда в основном происходит из сильнолегированной области эмиттера в слаболегированную область базы.

Количество неосновных носите лей, проходящих в противоположном направлении, значительно меньше инжекции из эмиттера. В зависимости от соотношения линейных размеров перехода и характеристической длины различают плоскостные и точечные диоды. Плоскостным считают диод, у которого линейные размеры, определяющие площадь перехода, значительно больше характеристической длины.

Характеристической длиной для диодов является наименьшая из двух величин — толщина базы и диффузионная длина неосновных носителей в базе. Они определяют свойства и характеристики диодов. К точечным относят диоды с линейными размерами перехода, меньшими характеристической длины. Переход на границе раздела областей с различным типом проводимости обладает свойствами выпрямления (односторонней проводимости) Actual; нелинейностью вольт-амперной характеристики; явлением туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер как при обратном, так и прямом смещении; явлением ударной ионизации атомов полупроводника при относительно больших для перехода напряжениях; барьерной емкостью и др. Эти свойства перехода используют для создания различных видов полупроводниковых диодов.

По диапазону частот, в котором диоды могут работать, их подразделяют на низкочастотные (НЧ) и высокочастотные (HF). По назначению НЧ диоды подразделяют на выпрямительные, стабилизирующие, impulso, а ВЧ диоды — на детекторные, смесительные, модулярные, paramétrico, переключательные и т. d. Иногда в особую группу выделяют диоды, отличающиеся основными физическими процессами: туннельные, лавинно-пролетные, фото-, светодиоды и др.

По материалу основного кристалла полупроводника различают германиевые, silicio, арсенид-галлиевые и другие диоды. Для обозначения полупроводниковых диодов используют шести-и семизначный буквенно-цифровой код (por ejemplo, КД215А, 2ДС523Г).

Первый элемент — буква (для приборов широкого применения) или цифра (для приборов, используемых в устройстве специального назначения) —указывает материал, на основе которого изготовлен прибор: Г или 1 — германий; К или 2 — кремний и его соединения; А или 3 — соединения галлия (por ejemplo, арсенид галлия); И или 4 — соединения индия (por ejemplo, фосфид индия).

Второй элемент — буква, указывающая подкласс или группу приборов: Д — выпрямительные, импульсные диоды; Ц — выпрямительные столбы и блоки; В — варикапы; И — импульсные туннельные диоды; А — СВЧ диоды; С — стабилитроны.

Третий элемент — цифра — определяет один из основных признаков, характеризующих прибор (por ejemplo, назначение или принцип действия).

Четвертый, пятый и шестой элементы — трехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора.

Седьмой элемент — буква — условно определяет классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии. Пример обозначения: 2ДС523Г — набор кремниевых импульсных диодов для устройств специального назначения с временем установления обратного сопротивления от 150 para 500 no; номер разработки 23, группа Г. Приборы разработки до 1973 g. имеют трех- и четырехэлементную системы обозначений.

Импортные аналоги диодов Вы найдете aqui.

Deja una respuesta

su dirección de correo electrónico no será publicada.