В постоянных запоминающих устройствах (ПЗУ) используется специальные типы МДП-структур, способные в течение длительного времени хранить двоичную информацию. Наибольшее распространение получили структуры с плавающим затвором, в которых между основным (управляющим) затвором и подложкой расположен дополнительный затвором и подложкой расположен дополнительный затвор,… Continue Reading
Полевой транзистор с p-n-переходом имеет два недостатка: через вывод затвора протекает, хотя и не большой, но отличный от нуля ток закрытого p-n-перехода. Во избежание открывания p-n-перехода напряжение на затворе может быть только одной определенной полярности – отрицательной для n-канала и… Continue Reading
Как отмечалась ранее, для малого сигнала полевого транзистора представляется линейным трехполюсником. Эквивалентная схема его показана на рис. 5.5. На ней изображены три электрода транзистора – сток, исток и затвор. Тот факт, что ток в цепи сток – исток зависит от… Continue Reading
Режим полевого транзистора определяется напряжениями на его электродах и токами через них. На семействах выходных и проходных характеристик режим дают координаты точки А (рис. 5.2, 5.3), которая называется рабочей точкой. В малой окрестности этой точки характеристики можно считать линейными, а… Continue Reading
Полевыми транзисторами называются полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется путём изменения сопротивления токопроводящего полупроводникового слоя (канала) поперечным электрическим полем. В отличии от биполярных транзисторов полевые транзисторы называют униполярными, поскольку в них используется движение носителей заряда только одного типа –… Continue Reading