WordPress database error: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

0

Verstärkungsstufen und Repeater

В АИС наибольшее распространение получили схемы с общим эмиттером (ОЭ) и непосредственными (гальваническими) связями между каскадами. Схемы с общей базой используются значительно реже (на СВЧ) и будут рассмотрены в специальных курсах. Простейший усилительный каскад с двумя источниками питания показан на… Continue Reading

0

Typische Elemente analogen integrierten Schaltkreisen

Составные транзисторы Составной транзистор – это комбинация двух (или нескольких) транзисторов, которую можно рассматривать как единое целое. Рис. 2.1 Наибольшее распространение среди составных транзисторов получила схема Дарлингтона (рис. 2.1) в которой используются транзисторы с одним типом проводимости (например, n–р–n). Главная… Continue Reading

0

Was analogen integrierten Schaltkreisen

Аналоговые интегральные схемы (АИС) предназначены для преобразования аналоговых сигналов, мера которых отображает ин­формацию. Примерами аналоговых операций могут служить: усиление, сравнение, ограничение, перемножение. Использование аналоговых сигналов обеспечивает высокую скорость передачи информации и требует сравнительно небольшого числа электронных элементов. Вместе с тем… Continue Reading

0

Die Technologie der Herstellung von integrierten Schaltkreisen

Базовые технологические операции Производство интегральных схем состоит из ряда операций, выполняя которые постепенно из исходных материалов получают готовое изделие. Количество операций технологического процесса может достигать 200 и более, поэтому рассмотрим только базовые. Эпитаксия – это операция наращивания на подложке монокристаллического… Continue Reading

0

Elemente der integrierten Halbleiterschaltungen

Полупроводниковые интегральные схемы – это интегральные схемы, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Конструктивной основой ИС является подложка из кремния р-типа или арсенида галлия толщиной 200–300 мкм. Элементы ИС формируются в изолированных от… Continue Reading