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Feldeffekttransistorverstärkerstufe

Betrachten Sie die einfachste Feldeffekttransistorverstärkerstufe, nach dem OI-Schema eingeschaltet, Das schematische Diagramm ist in Abb. 1 dargestellt.. 5.16. Als aktives Element enthält die Kaskade einen n-Kanal-Feldeffekttransistor mit einem Steuer-pn-Übergang. Eine Eingangsquelle ist mit dem Kaskadeneingang verbunden (Generator mit EMK… Weiterlesen

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Schottky-Gate-Feldeffekttransistor

Vereinfachte Struktur des MEP-Transistors oder des Metallhalbleiter-Gate-Transistors (Schottky-Verschluss) in Bild gezeigt. 5.15. Der Transistor ist auf einem Galliumarsenidsubstrat aufgebaut (GaAs). Hier wird mit technologischen Mitteln ein dünner leitender Kanal erzeugt. Die Dichtung aus Titan und Wolframlegierung wird direkt auf die Kanaloberfläche aufgebracht.… Weiterlesen

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Floating-Gate-Feldeffekttransistor

Permanente Speichergeräte (PZU) Es werden spezielle Arten von MIS-Strukturen verwendet, in der Lage, binäre Informationen für eine lange Zeit zu speichern. Am häufigsten sind Floating-Gate-Strukturen, in dem zwischen dem Haupt (управляющим) Gate und Substrat befindet sich ein zusätzliches Gate und ein zusätzliches Gate,… Weiterlesen

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Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевой транзистор с p-n-переходом имеет два недостатка: через вывод затвора протекает, хотя и не большой, но отличный от нуля ток за­крытого p-n-перехода. Во избежание открывания p-n-перехода напряжение на затворе мо­жет быть только одной определенной полярности – отрицательной для n-ка­на­ла иWeiterlesen

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Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала

Как отмечалась ранее, для малого сигнала полевого транзистора пред­ставляется линейным трехполюсником. Эквивалентная схема его показана на рис. 5.5. На ней изображены три электрода транзистора – сток, исток и затвор. Тот факт, что ток в цепи сток – исток зависит отWeiterlesen