Представители тайваньской компании Macronix объявили о том, что их инженеры нашли решение проблемы, связанной с главным недостатком флэш-памяти, с относительно малым и ограниченным количеством процедур стирания-записи информации. Каждый цикл стирания и записи ухудшает изоляцию каждой ячейки памяти, и после определенного количества таких циклов ячейка памяти перестает быть способной хранить информацию. «Распространенные микросхемы флэш-памяти могут быть стерты и записаны заново приблизительно 10 тысяч раз, более качественные и дорогие микросхемы имеют ресурс до 1 миллиона циклов» — пишут журналисты издательства IEEE Spectrum. — «Инженеры Macronix имеют решение, которое может вдохнуть новую жизнь в флэш-память, они предлагают метод самовосстановления NAND флэш-памяти, который позволит ей пережить более чем 100 миллионов циклов записи».
Главный недостаток флэш-памяти о котором идет речь, известен инженерам-электронщикам уже достаточно давно, как и известен метод борьбы с этим недостатком — высокая температура. Но препятствием к распространению технологий температурного самовосстановления являлась сама высокая температура. Для самовосстановления кристалл микросхемы флэш-памяти должен был подвергаться воздействию температуры не ниже 250 °C в течение нескольких часов, а это является не очень хорошим методом с точки зрения практической реализации.
Инженеры компании Macronix пошли несколько иным путем, они создали кристалл микросхемы памяти, в который были вмонтированы крошечные нагревательные элементы, способные поднять температуру определенной группы ячеек памяти. Вместо длительного воздействия относительно невысокой температуры был использован импульс кратковременного нагрева ячеек до более высокой температуры, превышающей 800 °C, который не менее эффективно восстанавливает испорченные ячейки памяти. Но, такую процедуру нельзя применять слишком часто, при этом, устройство памяти в момент восстановления должно быть в неактивном состоянии и подключено к источнику энергии. Благодаря кратковременности теплового импульса на восстановления группы (сектора) ячеек памяти используется совсем немного энергии, что делает возможным осуществление этого процесса даже от аккумуляторной батареи мобильного устройства.
Специалисты компании Macronix оценивают, что метод самовосстановления сможет увеличить до 100 миллионов циклов ресурс работы самой низкокачественной флэш-памяти, ресурс которых в обычных условиях не превышает 10 тысяч циклов. Но это еще не означает, что эта технология завтра пойдет в производство и на рынке скоро появятся новые микросхемы надежной памяти. К сожалению, технология, реализующая мгновенный нагрев секторов ячеек флэш-памяти пока еще относительно дорога и не отработана с технологической точки зрения. Технология самовосстановления флэш-памяти будет представлена и продемонстрирована компанией Macronix на конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), которая будет проходить в Сан-Франциско с 10 по 12 декабря.