Интегральная микросхема AN7142 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS5 с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 20 V
Pвыхmax 2,1 W
Icc0(Uвх=0) 22 mA
Rвх 120KΩ
Ку,напр. 68dB
ΔF 30Hz- 18KHz
Кг(Pвых=0,2W,f=l KHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
AN7145L, AN7145M, AN7145H, AN7146M, AN7146H
Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Matsushita выполнены вкорпусах SDIP с 18 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных ирадиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccinin
Uccmax
Icc0
ΔF
Rвых
Pвых
Кг
Ку,напр.
AN7145L
6V
20V
25mA
40Hz-18KHz
4Ω
1W
0,2%
42dB
AN7145M
9V
20V
30mA
40Hz-18KHz
4Ω
2,4W
0,2%
42dB
AN7145H
12V
24V
40mA
40Hz-18KHz
ЗП
7,5W
0,2%
42dB
AN7146M
9V
20V
32mA
40Hz-18KHz
4Ω
2,3W
0,2%
42dB
AN7146H
9V
20V
40mA
40Hz-18KHz
4Ω
4,5W
0,2%
42dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
AN7156
Интегральная микросхема AN7156 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, и другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 24 V
Pвых(13V/4Ω) 5,5 W
Icc0(Uвх=0) 70 mA
Rвх 100КΩ
Ку,напр. 56dB
ΔF 30Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
AN7158, AN7166
Интегральные микросхемы AN7158 и AN7166 фирмы Matsushita выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
AN7158
AN7166
Uccmax
24 V
24 V
Icc0(Uвх=0)
35 mA
30 mA
Рвыхmах
7,5 W
5,5 W
Ку,напр.
56 dB
52 dB
ΔF
30Hz-18KHz
30Hz-18KHz
Кг
0,1%
0,15%
Rвыхnom
4Ω
4Ω
AN7161
Интегральная микросхема AN7161 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 11 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 26 V
Icc0(Uвх=0) 65 mA
Рвых(15V/4Ω) 10 W
Ку,напр. 48 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%
Rвыхnom 4Ω
AN7163
Интегральная микросхема AN7163 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, а так же электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 12 V
Uccmax 16 V
Icc0(Uвх=0) 60 mA
Pвыхmax 17 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%
Rвыхnom 4Ω
AN7170
Интегральная микросхема AN7170 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 11 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 35 V
Icc0(Uвх=0) 75 mA
Pвых(26V/4Ω) 18 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%
Rвыхnom 8Ω
AN7171
Интегральная микросхема AN7171 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой двухканальныи (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты, оба канала которого выполнены по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рисунке. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 15 V
Icc0(Uвх=0) 45 mA
Рвыхmах 12 W
Rвх 150 KΩ
Ку,напр. 48 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
BA5204, BA5204F
Интегральные микросхемы ВА5204 и BA5204F фирмы Rohm выполнены в корпусах DIP (ВА5204) или SO (BA5204F) с 16 выводами и представляют собой двухканальные (стерео) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в переносных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 1,5 V
Uccmax 4,5 V
Pвых(3V/32Ω) 35 mW
Icc0(Uвх=0) 13 mA
Ку,напр. 62 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Uвхmax 15 mV
Кг(Pвых=5mW f=lKHz) 0,05%
Uвх0 12 mV
Rвыхnom 32Ω
Интегральные микросхемы ESM231N, TBA790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD (Thomson), TCA150KA, TCA150KB, (Mullard), TDA1042, TDA1042B (SGS), UL1490N, UL1491R, UL1492R, UL1493R (Unitra) выполнены в корпусах DIP (кроме ESM231N, которая выполнена в корпусе TABS7) с 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Обратите особое внимание на микросхемы TBA790 и ТСА150, так как они выпускаются в трех вариантах (с различными цоколевками) и их можно отличать только по суффиксу. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin
Uccmax
Icc0
ΔF
Rвых
Pвых
Кг
Ку,напр.
ESM231N
9V
30V
25mA
40Hz-20KHz
4Ω
18W
0,5%
48dB
TBA790
6V
12V
6mA
40Hz-15KHz
8Ω
1,2W
0,5%
42dB
TBA790LA
6V
12V
бтА
40Hz-15KHz
8Ω
1,2W
2,5%
42dB
TBA790LB
6V
15V
8mA
40Hz-15KHz
8Ω
2,2W
2,5%
42dB
TBA790LC
6V
12V
6mA
40Hz-15KHz
8Ω
2,2W
2,5%
42dB
TBA790KD
6V
18V
10mA
40Hz-15KHz
8Ω
3.45W
2,5%
62dB
TCA150KA
9V
15V
9mA
40Hz-15KHz
4Ω
4W
0,5%
62dB
TCA150KB
9V
18V
11mA
40Hz-15KHz
4Ω
5,5W
0,5%
62dB
TDA1042
9V
18V
10mA
40Hz-20KHz
2Ω
10W
0,2%
62dB
TDA1042B
9V
18V
10mA
40Hz-20KHz
2Ω
10W
0,2%
62dB
UL1490N
6V
12V
10mA
40Hz-15KHz
15Ω
0,65W
1,5%
46dB
UL1491R
6V
12V
10mA
40Hz-15KHz
8Ω
1,2W
1,5%
46dB
UL1492R
6V
15V
10mA
40Hz-15KHz
8Ω
2,1W
1,5%
46dB
UL1493R
6V
12V
10mA
40Hz-15KHz
4Ω
2,1W
1,5%
46dB
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
ESM1231C, TDA1103, TDA1103SP
Интегральнаые микросхемы ESM1231C (Thomson), TDA1103 и TDA1103SP (SGS) выполнены в корпусах SIP1 с 11 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin 12 V
Uccmax 32 V
Icc0(Uвх=0) 30 mA
Pвыхmax 20 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.
HA1374, HA1374A
Интегральные микросхемы HA1374 и HA1374A фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
HA1374
HA1374A
Uccmin
8 V
8 V
Uccmax
22 V
25 V
Icc0(Uвх=0)
36 mA
36 mA
Pвыхmax
3 W
4 W
Rвх
100КΩ
100КΩ
Ку,напр.
32 dB
32 dB
ΔF
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz)
0,2%
0,15%
Rвыхnom
8Ω
8Ω
HA1392
Интегральная микросхема HA1392 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP7 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Переключатель SW1 выполняет функцию «MUTE». В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 36 mA
Pвых(12V/4Ω) 4,3 W
Rвх 120 КΩ
Ку,напр. 42 dB
ΔF 30Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
HA1396
Интегральная микросхема HA1396 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах высокого класса. Переключатель SW1 выполняет функцию «MUTE».Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 140 mA
Pвых(13V/4Ω) 20 W
Ку,напр. 42 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=lW, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральные микросхемы К174УН14 (СНГ), LM383 и LM2002 (National Semiconductor), L142, TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003 и TDA2008 (SGS.Thomson), ULN3701Z, ULN3702Z и ULN3703Z (Sprague), uPC2002 (NEC) выполнены в корпусах ТO-220 с 5 выводами сформованными в два ряда параллельно плоскости корпуса. У микросхем с суффиксами А и V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса. Представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Интегральные микросхемы К174УН22 (СНГ), КА2209 (Samsung), NJM2073 (New Japan Radio), L272M, L2722, TDA2822M и TDA2822D (SGSThomson), U2822B и U2823B (Telefunken) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP-8 (TDA2822D — SO c 8 выводами). Представляют собой двухканальные усилители мощности и предназначены для аппаратуры с питанием от батарей. Микросхемы можно включать по мостовой схеме. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и теплозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы нет необходимости в теплоотводе. Основные параметры:
Uccmin
1,8 V
Uccmax
9 V
Icc0(Uвх.=0)
9 mA
Pвых.(6V/4Ω)
0,65 W
Kу
62 dB
ΔF
30Hz-18KHz
Кг(Pвых.=0,01W,f=1KHz)
0,05%
Rвых.
4Ω
KA2211, TA7240P, TA7241P
Интегральные микросхемы KA2211 (Samsung), TA7240P, TA7241P (Toshiba) с идентичными схемами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизионных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Если у микросхем KA2211, TA7240P расположение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у TA7241P инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 18 V
Pвыхmax 5,8 W
Icc0(Uвх=0) 80 mA
Ку,напр. 52 dB
ΔF 30Hz-20KHz
Кг(Pвых=500mW, f=lKHz) 0,2%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
KA22101, TA7250BP, TA7251BP
Интегральные микросхемы KA22101 (Samsung), ТА7250ВР и ТА7251ВР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами (у микросхемы ТА7251ВР инверсная нумерация выводов справа налево) и представляют собой усилители мощности низкой частоты выполненные по мостовой схеме. Предназначены для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 120 mA
Pвых.max 23 W
Ку,напр. 46 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=1W, f=1KHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
