Ошибка базы данных WordPress: [Table './meandr_base/anzpz_usermeta' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed]
SELECT user_id, meta_key, meta_value FROM anzpz_usermeta WHERE user_id IN (1) ORDER BY umeta_id ASC

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — Меандр — занимательная электроника
Site icon Меандр — занимательная электроника

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Электрическим переходом называют переходный слой в полупровод­ни­ко­вом материале между двумя областями с различными типами электро­про­вод­ности или разными значениями удельной электрической проводимости.

Если одна из контактирующих областей – металл, а другая – полупро­водник, то такой электрический переход называют переходом Шоттки.
Если переход образован двумя полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны, например германием и арсенидом галлия, его назы­вают гетеропереходом. Электрический переход, образованный в резуль­тате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны, называют гомопереходом.

Электрический переход может быть выпрямляющим, т. е. иметь малое сопротивление при одном направлении тока и большое при другом. Электри­ческое сопротивление омических переходов в отличие от выпрям­ляющих не зависит от направления тока в заданном диапазоне его значе­ний. Большинство полупроводниковых приборов имеют выпрямляющие гомогенные электронно-дырочные (p–n) переходы.

Электронно-дырочный переход образуется между областями полупро­водника, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа. По соотношению концентраций примесей в p и n областях разли­чают симметричные, несимметричные и односторонние переходы. Обычно в полупроводниковых приборах используют несимметричные переходы, у которых концентрации Nд и Na различаются в несколько раз. Если концен­трации примесей различаются более чем в 10 раз, переход называют од­носторонним.

Exit mobile version