Fujitsu Semiconductor анонсировала разработку двух новых моделей сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) — MB85RS1MT и MB85RS2MT, ёмкость которых составляет соответственно 1 Мбит и 2 Мбит. Эти устройства обладают самой большой плотностью данных для FRAM с последовательным доступом, когда-либо выпущенных компанией.
Новые FRAM обеспечивают не менее 10 триллионов циклов чтения-записи, что примерно на порядок больше, чем у существующих аналогов. Благодаря этой особенности, новые компоненты памяти оптимальны для таких применений, как интеллектуальные приборы учета, промышленное оборудование и медицинская техника. По сравнению с электрически стираемыми программируемыми ПЗУ (EEPROM) той же плотности данных, MB85RS1MT и MB85RS2MT потребляют на 92% меньше энергии в режиме записи. Кроме того, данные приборы способны заменить типовые компоненты системной памяти — EEPROM, SRAM и батарею автономного питания, поскольку содержат в себе все их функции. Это позволяет значительно снизить стоимость и потребляемую мощность конечного продукта, а также повысить плотность монтажа. Устройства на основе новых FRAM, кроме того что они будут компактнее и энергоэффективнее, станут легки и в обслуживании, поскольку в них отсутствует резервный источник питания.
 |
 |
| Основные преимущества новых компонентов FRAM памяти | |
FRAM — это тип оперативной памяти, которая, с одной стороны, способна сохранять данные даже при отключении питания, а с другой, – позволяет осуществлять быстрые операции записи с произвольным доступом. Хранение информации в такой памяти является достаточно надежным, поскольку записанные данные не пропадут при внезапном исчезновении питающего напряжения. Благодаря этой способности, FRAM широко используются в оборудовании для автоматизации производства, измерительных устройствах, банковских терминалах и медицинских приборах с момента запуска серийного производства такой памяти в 1999 г.
В качестве обновления своей линейки FRAM-продуктов Fujitsu Semiconductor недавно разработала модели MB85RS1MT (1 Мбит) и MB85RS2MT (2 Мбит), которые имеют самую высокую плотность данных для устройств с последовательным доступом через интерфейс SPI. Оба изделия гарантируют не менее 10 триллионов циклов чтении-записи, что на порядок больше, чем у ранее выпущенных продуктов этого типа, обеспечивают непрерывную запись данных в режиме реального времени. Теперь стала возможной замена традиционной EEPROM с последовательным интерфейсом на новый тип памяти FRAM объёмом 1-2 Мбит в таких применениях, как интеллектуальные счетчики, промышленное оборудование и медицинские приборы. Такая замена приводит к увеличению производительности устройств благодаря возросшей скорости записи, а также снижает риск потери данных при внезапном отключении питания и провалах питающего напряжения. Снижение потребляемой мощности в режиме записи на 92% по сравнению с EEPROM позволяет продлить срок службы аккумулятора.
Традиционно в системе памяти промышленного оборудования используется синхронное ОЗУ для записи данных и EEPROM для сохранения параметров и программ. Теперь все эти функции способна выполнять новая FRAM, при этом не нуждаясь в резервном источнике питания для сохранности данных. FRAM может быть размещена в меньшем корпусе, что позволит сократить монтажную площадь для установки компонентов памяти на 90%. В результате конечный продукт станет более компактным, энергоэффективным, будет иметь низкую стоимость, а его обслуживание не будет включать замену аккумулятора.
В будущем компания Fujitsu Semiconductor будет продолжать предлагать решения, которые помогут клиентам сделать их продукцию более производительной и удобной в обслуживании, а также минимизировать их риски.
Отличительные особенности:
- Конфигурация:
- MB85RS1MT: 131072 х 8 бит
- MB85RS2MT: 262144 х 8 бит
- Последовательный периферийный интерфейс SPI с режимами 0 и 3
- Рабочая частота:
- MB85RS1MT: при напряжении 1.8…2.7 В до 25 МГц, при напряжении 2.7…3.6 В до 30 МГц
- MB85RS2MT: при напряжении 1.8…3.6 В до 25 МГц
- MB85RS1MT и MB85RS2MT: при напряжении 2.7…3.6 В и исполнении команды быстрого чтения FSTRD до 40 МГц
- Кол-во циклов перезаписи до 1013/байт
- Сохранность данных до 10 лет (при температуре окружающей среды до +85°C)
- Диапазон напряжения питания: 1.8…3.6 В
- Ток потребления:
- MB85RS1MT
- Рабочий ток потребления: 9.5 мА при 30 МГц (макс.)
- Ток потребления в режиме ожидания: 120 мкА (макс.)
- Ток потребления в режиме сна: 10 мкА (макс.)
- MB85RS2MT
- Рабочий ток потребления: 10.6 мА при 25 МГц (макс.)
- Ток потребления в режиме ожидания: 150 мкА (макс.)
- Ток потребления в режиме сна: 10 мкА (макс.)
- MB85RS1MT
- Диапазон рабочих температур: -40…+85°C
- Корпуса:
- 8-выводной SOP (FPT-8P-M08)
- 8-выводной DIP (FPT-8P-M08)
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
