Высоковольтные MOSFET STMicroelectronics становятся меньше, тоньше и надежнее

STMicroelectronics (ST) расширяет три семейства высоковольтных мощных MOSFET, представив два новых варианта корпусов, которые позволят сделать зарядные устройства для аккумуляторов, солнечные микроинверторы и блоки питания компьютеров более компактными, прочными и надежными.

Усовершенствованные корпуса PowerFLAT 5×6 HV и PowerFLAT 5×6 VHV имеют большую длину пути утечки, как между выводами, так и по корпусу, что совершенно необходимо для приборов с рабочим напряжением 650 и 800 В. При этом новые корпуса имеют такие же размеры, как и PowerFLAT 5×6, в которых выпускаются стандартные 100-вольтовые транзисторы. Это на 52% меньше площади популярного корпуса DPAK. Помимо этого, корпус имеет высоту всего 1 мм и снабжен большой вскрытой контактной площадкой вывода стока, с максимальной эффективностью отводящей тепло в печатную плату.

Такое сочетание характеристик одновременно повышает стойкость к высокому напряжению, механическую прочность, надежность и системную плотность мощности.

ST выпустила три 650-вольтовых MOSFET семейства MDmesh V в корпусах PowerFLAT 5×6 HV, установив на них цены, начинающиеся от $2.20 (для STL12N65M5), и четыре 800-вольтовых MOSFET семейства SuperMESH 5 в корпусах PowerFLAT 5×6 VHV, оптимизированных для сверхвысоковольтных приложений, продающихся по ценам от $1.50 (STL2N80K5). Все цены приведены для объемов заказанных партий, превышающих 1000 транзисторов.

Кроме того, ST приступила к поставке в корпусах PowerFLAT 5×6 HV образцов новых 600-вольтовых быстродействующих переключательных MOSFET семейства MDmesh II Plus с малым зарядом затвора.

РадиоЛоцман