Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным её параметра аналогично её влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой 
С ростом температуры тепловой ток Iэо растёт быстрее, чем убывает экспонента из-за увеличения 
Начало входной характеристики в схеме с ОЭ определяется тепловым током коллекторного перехода IКБО который сильно зависит от температуры, так что начало характеристики при увеличении температуры опускается (рис. 4.11, б).
Влияние температуры на выходные характеристики схем с ОБ и ОЭ удобно анализировать по формулам (4.5) и (4.7):
jek= αIe+Iкбо
et
jek=βIà+(β+1)Iкбо .
Снятие выходных характеристик при различных температурах должно проводиться при поддержании постоянства параметров (Ie = const в схеме с ОБ и Ià = const в схеме с ОЭ). Поэтому в схеме с ОБ при Ie = const рост Ik будет определяться только увеличением Iкбо (рис. 4.12, а).
Рис. 4.12
Однако обычно Iкбо значительно меньше αIe, изменение Ik составляет доли процента и его можно не учитывать.
В схеме с ОЭ положение иное. Здесь параметром является Ià и его надо поддерживать неизменным при изменении температуры. Будем считать в первом приближении, что коэффициент передачи β не зависит от температуры. Постоянство βIà означает, что температурная зависимость Ik будет определяться слагаемым (β+1)Iкбо. Ток Iкбо (как тепловой ток перехода) примерно удваивается при увеличении температуры на 10 0С, и при β>> 1 прирост тока (β+1)Iкбо может оказаться сравнимым с исходным значением коллекторного тока и даже превысить его.
На рис. 4.12, б показано большое смещение выходных характеристик вверх. Сильное влияние температуры на выходные характеристики в схеме с ОЭ может привести к потере работоспособности конкретных устройств, если не принять схемотехнические меры для стабилизации тока или термостатирование.
Источник:В.А. Нахалов,Электронные твердотельные приборы